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公开(公告)号：CN101458430B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200810184652.X
申请日：2008-12-11
Applicant: 株式会社日本显示器西
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36
Abstract: 本发明公开了光传感器和显示器，该光传感器包括：控制电极，形成在基板上，并且具有两个边缘；以及半导体膜，形成为与控制电极相对，其间设有绝缘膜，并且该半导体膜包括光敏层和在光敏层对面设置的一对电极区域。光敏层设置在与控制电极重叠的区域。成对电极区域的至少一个与控制电极的一个邻近的侧边缘重叠，并且在该邻近的侧边缘上以及沿着该邻近的侧边缘，该至少一个电极区域的长度短于光敏层在沿着控制电极的邻近的侧边缘方向上的长度。
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