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公开(公告)号：CN102460128A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080027830.3
申请日：2010-06-15
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01N21/76 , G01N33/54373
Abstract: 根据作为传感器芯片的基本特性的温度依赖性，随着电力的供给，传感器芯片本身的温度上升。而且，如果在温度上升变为稳定状态，传感器芯片光电二极管暗电流变为恒定的时刻，添加化学发光反应试剂，则依赖于试剂温度，传感器芯片温度发生急剧的变化。此时，传感器芯片光电二极管暗电流发生显著的偏差。通过利用热扩散介质的放热作用使传感器芯片的温度变化为最低限度，从而使传感器芯片光电二极管暗电流的偏差(不稳定化)降低。
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