公开(公告)号：CN1181632A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN97121179.5

申请日：1997-10-24

申请人： 株式会社日立制作所 ,  日立超爱尔、爱斯、爱工程股份有限公司

发明人： 中村正行 ,  长谷川雅俊 ,  成井诚司 ,  田中洋介 ,  宫武伸一 ,  久保内修一 ,  梶谷一彦

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： G11C11/4074 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4087

摘要： 在动态RAM中,动态存储单元设置于字线和一对位线的一根的交叉处,对应于电源电压的选择电平信号和对应于低于电路地电位的负电位的非选择电平提供给字线。由读出放大器读到成对位线的存储单元信号被放大,所述读出放大器在电路地电位和通过使电源电压降低等于地址选择MOSFET的阈值电压而形成的内部电压下工作。动态RAM具有接收电源电压和电路地电位的振荡器,及接收由振荡器产生的振荡脉冲的电路,用于产生负电位。

公开(公告)号：CN1702770A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073928.3

申请日：2005-05-25

申请人： 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

发明人： 小原忠博 ,  长谷川雅俊 ,  田中洋介 ,  帆加利知史 ,  田岛贤一

IPC分类号： G11C11/409 ,  G11C11/4091 ,  H01L27/108

CPC分类号： G11C7/12 ,  G11C2207/005 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10897

摘要： 本发明公开了一种半导体集成电路装置。提供实现了动作的高速化和低功耗化的DRAM。在CMOS读出放大器的一对输入输出节点上设置一对提供预充电电压的预充电MOSFET，使上述一对输入输出节点经由选择开关MOSFET与互补位线对连接，在上述互补位线对之间设置使其均衡的第1均衡MOSFET，在上述互补位线对的一方和与之交叉的字线之间设置存储单元，以第1膜厚形成上述选择开关MOSFET及第1均衡MOSFET的栅极绝缘膜，以比上述第1膜厚薄的第2膜厚形成上述预充电MOSFET的栅极绝缘膜，给上述预充电MOSFET提供与电源电压相对应的预充电信号，给上述第1均衡MOSFET及选择开关MOSFET提供与升压电压相对应的均衡信号及选择信号。

公开(公告)号：CN1702770B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200510073928.3

申请日：2005-05-25

申请人： 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

发明人： 小原忠博 ,  长谷川雅俊 ,  田中洋介 ,  帆加利知史 ,  田岛贤一

IPC分类号： G11C11/409 ,  G11C11/4091 ,  H01L27/108

CPC分类号： G11C7/12 ,  G11C2207/005 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10897

摘要： 本发明公开了一种半导体集成电路装置。提供实现了动作的高速化和低功耗化的DRAM。在CMOS读出放大器的一对输入输出节点上设置一对提供预充电电压的预充电MOSFET，使上述一对输入输出节点经由选择开关MOSFET与互补位线对连接，在上述互补位线对之间设置使其均衡的第1均衡MOSFET，在上述互补位线对的一方和与之交叉的字线之间设置存储单元，以第1膜厚形成上述选择开关MOSFET及第1均衡MOSFET的栅极绝缘膜，以比上述第1膜厚薄的第2膜厚形成上述预充电MOSFET的栅极绝缘膜，给上述预充电MOSFET提供与电源电压相对应的预充电信号，给上述第1均衡MOSFET及选择开关MOSFET提供与升压电压相对应的均衡信号及选择信号。