公开(公告)号：CN1295549C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200410000160.2

申请日：2004-01-08

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 原野雄一 ,  后藤顺 ,  金子寿辉 ,  山本昌直

IPC: G02F1/133 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28568 ,  G03G15/0131 ,  G03G15/1685 ,  G03G2215/0141 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供一种显示装置，目的在于防止在把铝系导电层用做与低温多晶硅接触的源极·漏极电极时的加热工序中铝元素向多晶硅层的扩散，并避免显示不良的发生。在本发明的显示装置中，把铝系导电层用做源极·漏极电极，在该铝系导电层和多晶硅层之间设置钼或钼合金层的阻挡层。在构成阻挡层的钼或钼合金层的表面上，设置在氮气氛下进行高速热处理(高速热退火)所形成的氮氧化钼膜。

公开(公告)号：CN1517752A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410000160.2

申请日：2004-01-08

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 原野雄一 ,  后藤顺 ,  金子寿辉 ,  山本昌直

IPC: G02F1/133

CPC classification number: H01L21/28568 ,  G03G15/0131 ,  G03G15/1685 ,  G03G2215/0141 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供一种显示装置，目的在于防止在把铝系导电层用做与低温多晶硅接触的源极·漏极电极时的加热工序中铝元素向多晶硅层的扩散，并避免显示不良的发生。在本发明的显示装置中，把铝系导电层用做源极·漏极电极，在该铝系导电层和多晶硅层之间设置钼或钼合金层的阻挡层。在构成阻挡层的钼或钼合金层的表面上，设置在氮气氛下进行高速热处理(高速热退火)所形成的氮氧化钼膜。