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公开(公告)号:CN103205259A
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN201310076691.9
申请日:2013-03-11
Applicant: 株式会社杰希优
Inventor: 克里斯托弗·科多尼尔 , 锅岛三弘 , 熊谷真吾 , 高桥直贵
CPC classification number: C09K13/02 , C03C15/00 , C03C17/09 , C03C2217/258 , C03C2217/259 , C03C2218/154 , C03C2218/33 , C23F1/36 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/44
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种选择性蚀刻方法,其为以实用的速度、且与基底基材相比优先选择性蚀刻钛以及其它金属的方法。该方法为一种蚀刻方法,其特征在于,将设于选自玻璃、硅、铜和镍的基底基材上的选自钛、铌、钨、钼、钌、铑、砷、铝和镓中的金属、前述金属的氧化物、前述金属的氮化物、氮化硅、氮化铪、氮化钽或这些的合金的层与本质上含有1种以上络合剂且为碱性的蚀刻液接触,选择性蚀刻选自钛、铌、钨、钼、钌、铑、砷、铝和镓中的金属、前述金属的氧化物、前述金属的氮化物、氮化硅、氮化铪、氮化钽或这些的合金,前述络合剂选自下式(I)和(II)所示的化合物。
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