公开(公告)号：CN1173742A

公开(公告)日：1998-02-18

申请号：CN97115568.2

申请日：1997-07-28

申请人： 株式会社泰库诺瓦 ,  财团法人工程振兴协会

发明人： 都能克博 ,  东松刚 ,  渡边日出男

IPC分类号： H01L35/00

CPC分类号： H01L35/08 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  Y10S257/93

摘要： 一种热电半导体,它包括:烧结的半导体层(13);金属层(14,14);以及利用电极连接材料(20)经所述金属层(14,14)与所述烧结半导体层(13)连接的电极(21,22);其中通过将半导体粉末层(4)和所述半导体粉末层(4)相对端面上的金属层(1,1)一起烧结以获得所述烧结半导体层(13)和所述金属层(14,14)。

公开(公告)号：CN1155121C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN97115568.2

申请日：1997-07-28

申请人： 株式会社泰库诺瓦 ,  财团法人工程振兴协会

发明人： 都能克博 ,  东松刚 ,  渡边日出男

IPC分类号： H01L35/00

CPC分类号： H01L35/08 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  Y10S257/93

摘要： 本发明揭示了一种热电半导体，它包括p型半导体层、n型半导体层、通过焊剂层分别连接于所述p型和n型半导体层上端表面的上电极、通过焊剂层分别连接于所述p型和n型半导体层下端表面的下电极，其中：所述p型和n型半导体层分别由铋-碲半导体颗粒的烧结层形成；在所述上电极和其对应焊剂层之间以及在所述下电极和其对应焊剂层之间分别分布金属层；所述烧结的p型和n型半导体层中的所述铋-碲半导体颗粒的结晶a轴与所述金属层的平面垂直；以及所述金属层由从铜、铜合金、铝和铝合金中所选的一种组成。本发明还揭示了一种制造该热电半导体的工艺。

公开(公告)号：CN1200841A

公开(公告)日：1998-12-02

申请号：CN97191220.3

申请日：1997-09-05

申请人： 株式会社泰库诺瓦

发明人： 渡边日出男 ,  手塚弘房 ,  小笠原光敏 ,  铃木伸彦 ,  佐藤一也

IPC分类号： H01L35/30 ,  F25B21/02

CPC分类号： H01L35/30 ,  F25B21/02

摘要： 本发明的目的在于提供一种具有优良性能且具有足够高的热电转换能力的热电装置。设置一用来供给一液体传热介质21使它冲击在一基片的一半导体层支承侧上的供给装置6、7,所述基片上支承有N型半导体层和P型半导体层,因此可以使液体传热介质21冲击在所述基片的一对置侧上。

公开(公告)号：CN1161846C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN97191220.3

申请日：1997-09-05

申请人： 株式会社泰库诺瓦

发明人： 渡边日出男 ,  手塚弘房 ,  小笠原光敏 ,  铃木伸彦 ,  佐藤一也

IPC分类号： H01L35/30 ,  F25B21/02

CPC分类号： H01L35/30 ,  F25B21/02

摘要： 本发明的目的在于提供一种具有优良性能且具有足够高的热电转换能力的热电装置。设置一用来供给一液体传热介质21使它冲击在一基片的一侧上的供给装置6、7，所述基片上支承有N型半导体层和P型半导体层，所述侧设置在所述基片的一半导体层支承侧的对面，因此可以使液体传热介质21冲击在所述基片的所述对置侧上。