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公开(公告)号:CN114055774B
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202110861490.4
申请日:2021-07-29
Applicant: 株式会社理光
IPC: B29C64/20 , B29C64/386 , B33Y30/00 , B33Y50/00
Abstract: 提供了使用至少含有陶瓷材料的一次颗粒制造三维物体的三维物体制造方法,所述三维物体制造方法包括:使用含有一次颗粒和粘合树脂的二次颗粒形成层的形成步骤;和将用于溶解粘合树脂的液体施加至在形成步骤中形成的层的施加步骤,其中一次颗粒的中心粒径为5微米或更小。
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公开(公告)号:CN107674389A
公开(公告)日:2018-02-09
申请号:CN201710599617.3
申请日:2017-07-21
Applicant: 株式会社理光
IPC: C08L67/02 , C08L77/06 , C08L23/12 , C08L61/16 , C08L59/00 , C08K7/06 , C08K3/08 , C08K7/14 , C08K7/18 , B29C64/153 , B33Y10/00
Abstract: 本发明涉及立体造型用树脂粉末、立体造型物的制造装置及制造方法,其提供具有优异再利用性和良好的初始拉伸强度,同时能够简单且高效地用来制造立体造型物的立体造型用树脂粉末。立体造型用树脂粉末如下,50%累积体积粒径为5m以上至100m以下,体积平均粒径/个数平均粒径为2.50,满足下述(1)等条件,(1)当设定示差扫描量热测定中,按照ISO 3146,以10℃/min升温至比熔点高30℃的温度时吸热峰的熔化开始温度为Tmf1,而后以10℃/min降温至-30℃以下,进而以10℃/min升温至比熔点高30℃的温度时吸热峰的熔化开始温度为Tmf2时,Tmf1>Tmf2,且(Tmf1-Tmf2)≥3℃。
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公开(公告)号:CN110431171A
公开(公告)日:2019-11-08
申请号:CN201880019309.1
申请日:2018-03-07
Applicant: 株式会社理光
IPC: C08J3/12 , B29C64/153
Abstract: 提供了一种用于制作三维物体的树脂粉末,其中所述树脂粉末的数均当量圆直径为10微米或更大但是150微米或更小,并且其中树脂粉末的基于当量圆直径的颗粒尺寸分布的中值高于平均当量圆直径。
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公开(公告)号:CN114055774A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202110861490.4
申请日:2021-07-29
Applicant: 株式会社理光
IPC: B29C64/20 , B29C64/386 , B33Y30/00 , B33Y50/00
Abstract: 提供了使用至少含有陶瓷材料的一次颗粒制造三维物体的三维物体制造方法,所述三维物体制造方法包括:使用含有一次颗粒和粘合树脂的二次颗粒形成层的形成步骤;和将用于溶解粘合树脂的液体施加至在形成步骤中形成的层的施加步骤,其中一次颗粒的中心粒径为5微米或更小。
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公开(公告)号:CN115028971A
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN202210691229.9
申请日:2018-03-07
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明公开了用于制作三维物体的树脂粉末和三维物体制作方法。用于制作三维物体的树脂粉末的数均当量圆直径为10微米或更大、但150微米或更小,并且,树脂粉末的基于当量圆直径的颗粒尺寸分布的中值高于平均当量圆直径,并且,松散填充率为40.4%或更高。三维物体制作方法包括:形成包含上述用于制作三维物体的树脂粉末的层;以及使在所述层的选定区域中的用于制作三维物体的树脂粉末的颗粒彼此粘合,其中,三维物体的制作方法重复该形成和粘合。
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公开(公告)号:CN107674389B
公开(公告)日:2020-05-29
申请号:CN201710599617.3
申请日:2017-07-21
Applicant: 株式会社理光
IPC: C08L67/02 , C08L77/06 , C08L23/12 , C08L61/16 , C08L59/00 , C08K7/06 , C08K3/08 , C08K7/14 , C08K7/18 , B29C64/153 , B33Y10/00
Abstract: 本发明涉及立体造型用树脂粉末、立体造型物的制造装置及制造方法,其提供具有优异再利用性和良好的初始拉伸强度,同时能够简单且高效地用来制造立体造型物的立体造型用树脂粉末。立体造型用树脂粉末如下,50%累积体积粒径为5m以上至100m以下,体积平均粒径/个数平均粒径为2.50,满足下述(1)等条件,(1)当设定示差扫描量热测定中,按照ISO 3146,以10℃/min升温至比熔点高30℃的温度时吸热峰的熔化开始温度为Tmf1,而后以10℃/min降温至‑30℃以下,进而以10℃/min升温至比熔点高30℃的温度时吸热峰的熔化开始温度为Tmf2时,Tmf1>Tmf2,且(Tmf1‑Tmf2)≥3℃。
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