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公开(公告)号：CN117355936A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202280037252.4
申请日：2022-04-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/36
Abstract: 半导体装置具备在两面具有主电极(40D、40S)的半导体元件(40)、电连接着主电极(40D)的基板(50)、将主电极与基板接合的烧结部件(100A)、以及封固体。基板的表面金属体(52)具有通过激光的照射而形成的凹凸氧化膜。凹凸氧化膜包括厚膜部(520X)以及与厚膜部相比膜厚较薄且凸部的高度较低的薄膜部(520Y)。表面金属体具有与第1主电极接合的安装部(529a)、设置厚膜部且在平面观察中将半导体元件包围的外周部(529b)、以及设置薄膜部且在安装部与外周部之间将安装部包围的中间部(529c)。烧结部件在平面观察中以与安装部及中间部重叠的方式配置，与薄膜部接触。
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