晶体硅太阳能电池模块及其制造方法

    公开(公告)号:CN107771360B

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201680028660.8

    申请日:2016-06-15

    Abstract: 太阳能电池模块具有晶体硅太阳能电池(4)和与晶体硅太阳能电池电连接的互连器(3)。互连器的宽度为50μm以上且低于400μm,按照将多个指状电极横断而电连接的方式配置。晶体硅太阳能电池具有平行地排列而设置在光电转换部(50)上的多个指状电极(9),按照覆盖光电转换部的主表面及指状电极的方式设置有绝缘层(8)。在指状电极与互连器交叉的部分中,介由设置于指状电极与互连器之间的绝缘层中的开口部将指状电极与互连器电连接。

    太阳能电池模块
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107851678B

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201680028673.5

    申请日:2016-06-29

    Abstract: 太阳能电池模块具备太阳能电池(13)、密封材料(16)、及配置在太阳能电池(13)与密封材料(16)之间的可挠性的金属箔(14)。太阳能电池(13)在单晶硅基板的背面侧具备导电型硅层及背面透明电极层。金属箔(14)与太阳能电池(13)的背面透明电极层以非粘接状态接触。在太阳能电池模块中,通过太阳能电池(13)被密封材料(16)密封,从而保持金属箔(14)与背面透明电极层的接触状态。

    太阳能电池以及太阳能电池模块

    公开(公告)号:CN107112375B

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201680004555.0

    申请日:2016-03-29

    Abstract: 太阳能电池(100)具备设于半导体基板(10)的背面的第一导电型层(21)以及第二导电型层(22)、设于第一导电型层上的第一电极(41)和设于第二导电型层上的第二电极(42)。第一电极和第二电极分离,第一电极具有被配置在第一电极之间的第二电极隔开的多个区域。第一电极的多个区域各自具有非连接电极部(410)和电极高度比非连接电极部的电极高度大的配线连接用电极部(411)。在第一电极的邻接的两个区域中,将一个区域的配线连接用电极部的顶点和另一个区域的配线连接用电极部的顶点连结的虚拟线与配置在两个区域之间的第二电极不相交。

    晶体硅太阳能电池模块及其制造方法

    公开(公告)号:CN107771360A

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201680028660.8

    申请日:2016-06-15

    Abstract: 太阳能电池模块具有晶体硅太阳能电池(4)和与晶体硅太阳能电池电连接的互连器(3)。互连器的宽度为50μm以上且低于400μm,按照将多个指状电极横断而电连接的方式配置。晶体硅太阳能电池具有平行地排列而设置在光电转换部(50)上的多个指状电极(9),按照覆盖光电转换部的主表面及指状电极的方式设置有绝缘层(8)。在指状电极与互连器交叉的部分中,介由设置于指状电极与互连器之间的绝缘层中的开口部将指状电极与互连器电连接。

    太阳能电池以及太阳能电池模块

    公开(公告)号:CN107112375A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201680004555.0

    申请日:2016-03-29

    Abstract: 太阳能电池(100)具备设于半导体基板(10)的背面的第一导电型层(21)以及第二导电型层(22)、设于第一导电型层上的第一电极(41)和设于第二导电型层上的第二电极(42)。第一电极和第二电极分离,第一电极具有被配置在第一电极之间的第二电极隔开的多个区域。第一电极的多个区域各自具有非连接电极部(410)和电极高度比非连接电极部的电极高度大的配线连接用电极部(411)。在第一电极的邻接的两个区域中,将一个区域的配线连接用电极部的顶点和另一个区域的配线连接用电极部的顶点连结的虚拟线与配置在两个区域之间的第二电极不相交。

    太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池面板

    公开(公告)号:CN109155342A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201780031450.9

    申请日:2017-02-08

    Abstract: 本发明所涉及的太阳能电池具备:导电型晶体硅基板(11);和第一导电型硅系层(12)及第二导电型硅系层(13),它们配置在导电型晶体硅基板(11)的一个主面上,第一导电型硅系层(12)与第二导电型硅系层(13)电绝缘,第二导电型硅系层(13)包括第一部分(13a)和第二部分(13b),第一部分(13a)隔着第一本征硅系层(14)及第一导电型硅系层(12)而与导电型晶体硅基板(11)对置,第二部分(13b)隔着第二本征硅系层(15)而与导电型晶体硅基板(11)对置,第一本征硅系层(14)的厚度比第二本征硅系层(15)的厚度厚。

    光电转换装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN108140680A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201680056974.9

    申请日:2016-10-03

    Abstract: 一种光电转换装置(101),其在半导体基板(10)的一个主面上,具有第一导电型区域(1)、第二导电型区域(2)和与它们相接且将两者隔开的边界区域(9)。第一导电型半导体层(61)遍及第一导电型区域(2)的整面和边界区域而设置,第二导电型半导体层(31)遍及第二导电型区域的整面和边界区域而设置。边界区域的整面设有绝缘层(41)。遍及第一导电型区域的整面和边界区域设置第一电极(71),在第二导电型区域设置第二电极(72)。在形成有第一导电型半导体层的区域不设置第二电极,第二电极与第一电极被隔开。

    光电转换装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN108140680B

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN201680056974.9

    申请日:2016-10-03

    Abstract: 一种光电转换装置(101),其在半导体基板(10)的一个主面上,具有第一导电型区域(1)、第二导电型区域(2)和与它们相接且将两者隔开的边界区域(9)。第一导电型半导体层(61)遍及第一导电型区域(2)的整面和边界区域而设置,第二导电型半导体层(31)遍及第二导电型区域的整面和边界区域而设置。边界区域的整面设有绝缘层(41)。遍及第一导电型区域的整面和边界区域设置第一电极(71),在第二导电型区域设置第二电极(72)。在形成有第一导电型半导体层的区域不设置第二电极,第二电极与第一电极被隔开。

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