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公开(公告)号：CN107771360B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201680028660.8
申请日：2016-06-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/05 , H01L31/0747
Abstract: 太阳能电池模块具有晶体硅太阳能电池(4)和与晶体硅太阳能电池电连接的互连器(3)。互连器的宽度为50μm以上且低于400μm，按照将多个指状电极横断而电连接的方式配置。晶体硅太阳能电池具有平行地排列而设置在光电转换部(50)上的多个指状电极(9)，按照覆盖光电转换部的主表面及指状电极的方式设置有绝缘层(8)。在指状电极与互连器交叉的部分中，介由设置于指状电极与互连器之间的绝缘层中的开口部将指状电极与互连器电连接。
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公开(公告)号：CN107851678B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201680028673.5
申请日：2016-06-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224 , H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/0747 , H01L31/056
Abstract: 太阳能电池模块具备太阳能电池(13)、密封材料(16)、及配置在太阳能电池(13)与密封材料(16)之间的可挠性的金属箔(14)。太阳能电池(13)在单晶硅基板的背面侧具备导电型硅层及背面透明电极层。金属箔(14)与太阳能电池(13)的背面透明电极层以非粘接状态接触。在太阳能电池模块中，通过太阳能电池(13)被密封材料(16)密封，从而保持金属箔(14)与背面透明电极层的接触状态。
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公开(公告)号：CN107112375B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201680004555.0
申请日：2016-03-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 太阳能电池(100)具备设于半导体基板(10)的背面的第一导电型层(21)以及第二导电型层(22)、设于第一导电型层上的第一电极(41)和设于第二导电型层上的第二电极(42)。第一电极和第二电极分离，第一电极具有被配置在第一电极之间的第二电极隔开的多个区域。第一电极的多个区域各自具有非连接电极部(410)和电极高度比非连接电极部的电极高度大的配线连接用电极部(411)。在第一电极的邻接的两个区域中，将一个区域的配线连接用电极部的顶点和另一个区域的配线连接用电极部的顶点连结的虚拟线与配置在两个区域之间的第二电极不相交。
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公开(公告)号：CN107771360A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201680028660.8
申请日：2016-06-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/05 , H01L31/0747
Abstract: 太阳能电池模块具有晶体硅太阳能电池(4)和与晶体硅太阳能电池电连接的互连器(3)。互连器的宽度为50μm以上且低于400μm，按照将多个指状电极横断而电连接的方式配置。晶体硅太阳能电池具有平行地排列而设置在光电转换部(50)上的多个指状电极(9)，按照覆盖光电转换部的主表面及指状电极的方式设置有绝缘层(8)。在指状电极与互连器交叉的部分中，介由设置于指状电极与互连器之间的绝缘层中的开口部将指状电极与互连器电连接。
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公开(公告)号：CN107112375A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004555.0
申请日：2016-03-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 太阳能电池(100)具备设于半导体基板(10)的背面的第一导电型层(21)以及第二导电型层(22)、设于第一导电型层上的第一电极(41)和设于第二导电型层上的第二电极(42)。第一电极和第二电极分离，第一电极具有被配置在第一电极之间的第二电极隔开的多个区域。第一电极的多个区域各自具有非连接电极部(410)和电极高度比非连接电极部的电极高度大的配线连接用电极部(411)。在第一电极的邻接的两个区域中，将一个区域的配线连接用电极部的顶点和另一个区域的配线连接用电极部的顶点连结的虚拟线与配置在两个区域之间的第二电极不相交。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109314152B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201780036759.7
申请日：2017-05-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0224
Abstract: 太阳能电池单元(10)具备半导体基板(11)、配置于半导体基板(11)的一侧主面上的第1导电型层(12)和第2导电型层(13)，其中，在第1导电型层(12)上配置有第1电极(17)，在第2导电层(13)上配置有第2电极(18)，第1电极(17)与第2电极(18)电分离，在第1电极(17)与第2电极(18)之间配置有岛状的导电层(16)。
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公开(公告)号：CN109155342A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780031450.9
申请日：2017-02-08
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明所涉及的太阳能电池具备：导电型晶体硅基板(11)；和第一导电型硅系层(12)及第二导电型硅系层(13)，它们配置在导电型晶体硅基板(11)的一个主面上，第一导电型硅系层(12)与第二导电型硅系层(13)电绝缘，第二导电型硅系层(13)包括第一部分(13a)和第二部分(13b)，第一部分(13a)隔着第一本征硅系层(14)及第一导电型硅系层(12)而与导电型晶体硅基板(11)对置，第二部分(13b)隔着第二本征硅系层(15)而与导电型晶体硅基板(11)对置，第一本征硅系层(14)的厚度比第二本征硅系层(15)的厚度厚。
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公开(公告)号：CN108140680A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056974.9
申请日：2016-10-03
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 一种光电转换装置(101)，其在半导体基板(10)的一个主面上，具有第一导电型区域(1)、第二导电型区域(2)和与它们相接且将两者隔开的边界区域(9)。第一导电型半导体层(61)遍及第一导电型区域(2)的整面和边界区域而设置，第二导电型半导体层(31)遍及第二导电型区域的整面和边界区域而设置。边界区域的整面设有绝缘层(41)。遍及第一导电型区域的整面和边界区域设置第一电极(71)，在第二导电型区域设置第二电极(72)。在形成有第一导电型半导体层的区域不设置第二电极，第二电极与第一电极被隔开。
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公开(公告)号：CN108140680B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201680056974.9
申请日：2016-10-03
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 一种光电转换装置(101)，其在半导体基板(10)的一个主面上，具有第一导电型区域(1)、第二导电型区域(2)和与它们相接且将两者隔开的边界区域(9)。第一导电型半导体层(61)遍及第一导电型区域(2)的整面和边界区域而设置，第二导电型半导体层(31)遍及第二导电型区域的整面和边界区域而设置。边界区域的整面设有绝缘层(41)。遍及第一导电型区域的整面和边界区域设置第一电极(71)，在第二导电型区域设置第二电极(72)。在形成有第一导电型半导体层的区域不设置第二电极，第二电极与第一电极被隔开。
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公开(公告)号：CN107210331B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201680004706.2
申请日：2016-03-07
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/0352 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1896 , H01L31/20 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池在晶体硅基板的第一主面上具有n型半导体层(6)及p型半导体层(7)。n型半导体层以横跨设置有p型半导体层的p型半导体层形成区域上的一部分和未设置p型半导体层的p型半导体层非形成区域的方式设置。在p型半导体层形成区域上的设置有n型半导体层的区域中，在p型半导体层和n型半导体层之间设置有保护层(8)。保护层具备与p型半导体层相接设置的基底保护层(8b)和设置于基底保护层上的绝缘层(8a)。基底保护层包含本征硅基层及n型硅基层的任一种。
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