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发明公开
钙钛矿薄膜系太阳能电池的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116671276A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180086378.6

申请日：2021-12-16

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 西村勇人

IPC: H10K30/10 , H10K30/50 , H10K71/16

Abstract: 本发明提供一种能够减少由水分引起的钙钛矿薄膜的性能降低的钙钛矿薄膜系太阳能电池的制造方法。钙钛矿薄膜系太阳能电池的制造方法包括在基板10上形成钙钛矿薄膜的工序。在钙钛矿薄膜形成工序中，使用蒸镀法，依次气化PbX2材料和MAX材料(X为卤素原子)，从喷头130向真空室110内依次导入PbX2材料气体和MAX材料气体，在基板10上依次将PbX2材料膜和MAX材料膜成膜，由此形成MAPbX3薄膜。作为MAX材料膜的成膜条件，MAX材料的气化温度为230度～280度，真空室110内压力为150Pa～1000Pa，以基板10温度为100度～120度的方式冷却基板10。

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