公开(公告)号：CN118639211A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410285003.8

申请日：2024-03-13

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 志水诚 ,  志保浩司 ,  安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/44

摘要： 本发明提供量产性优异的成膜方法。该成膜方法使用金属络合物，该金属络合物在含氧气氛下、升温速度为20℃/min的热重‑差热分析中，在480℃～520℃的范围内具有放热峰。

公开(公告)号：CN118639213A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410285176.X

申请日：2024-03-13

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 志水诚 ,  志保浩司 ,  安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/44

摘要： 本发明提供量产性优异的成膜方法。该成膜方法使用在同一或不同水溶液中含有金属络合物及镓化合物的水溶液，所述金属络合物为具有两个以上的不同配体的金属络合物及具有相同的配体并具有取代基的金属络合物中的至少一种，所述具有两个以上的不同配体的金属络合物具有氮原子，所述具有相同的配体并具有取代基的金属络合物具有卤素原子。

公开(公告)号：CN118645535A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410284769.4

申请日：2024-03-13

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H02M3/10 ,  H02M7/48

摘要： 本发明提供一种适合于半导体元件的层叠结构体、半导体元件、电力转换装置及控制系统。一种层叠结构体，具备表面具有沟道结构的第一氧化物层和沿着所述沟道结构层叠的第二氧化物层，所述第二氧化物层的底部的中心与侧壁部的中心的膜厚差异小于30％。

公开(公告)号：CN118639212A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410285121.9

申请日：2024-03-13

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 志水诚 ,  志保浩司 ,  安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/44

摘要： 本发明提供一种量产性优异的成膜方法。使用具有两个以上的不同配体的金属络合物及具有相同的配体并具有取代基的金属络合物中的至少一种金属络合物的成膜方法。