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公开(公告)号：CN202362560U
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201120457110.2
申请日：2011-11-17
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1333
Abstract: 本实用新型提供一种液晶部件制作装置，其不会对活性区域照射紫外线，能够有选择地对涂敷了密封剂的区域照射紫外线。所述液晶部件制作装置包括：平台部，其设置有液晶部件，并由能使紫外线透过的材料构成；第一紫外线照射部，其对设置在平台部的液晶部件的密封剂区域的横向区域，从平台部的下方照射紫外线；第二紫外线照射部，其对设置在平台部的液晶部件的密封剂区域的纵向区域，从平台部的上方照射紫外线。
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公开(公告)号：CN111712935A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201980013468.5
申请日：2019-01-31
Applicant: 株式会社V技术
Abstract: 本发明为包括：LED阵列基板(1)，其为将放射紫外或蓝色波段的光的多个LED(4)成矩阵状地配置于布线基板(5)；多个荧光发光层(2)，其在三原色对应的多个所述LED(4)上，均匀分散地具有荧光色素(14)和选择性地透过预定波段的光的调整色素(15)，并由从所述LED(4)放射的激发光激发而波长转换为对应色的荧光；以及遮光构件(3)，其设置在多个所述荧光发光层(2)之间，反射或吸收所述激发光和所述荧光。由此，缩短制造工序，并且抑制荧光发光层的厚度的增加。
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公开(公告)号：CN110832572A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880044616.5
申请日：2018-07-06
Applicant: 株式会社V技术
Abstract: 本发明提供将芯片零件可靠地转印到驱动电路基板的所期望的位置、像素配置的精度较高且制造成品率较高的显示装置的制造方法。具备以下工序：使具备各向异性导电膜(7)的驱动电路基板(6)与转印了芯片零件(3)的转印用基板(5)接近，从而使各向异性导电膜(7)与芯片零件(3)接触，然后，将转印用基板(5)与驱动电路基板(6)进行热压接合，使热膨胀性粒子(42)热膨胀之后，将转印部件层(5)从芯片零件(3)剥离，从而将芯片零件(3)向驱动电路基板(6)侧转印。
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公开(公告)号：CN110692097A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201880036308.8
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社V技术
Abstract: 本发明具备：LED阵列基板(1)，其在基板上以矩阵状配置有放射紫外至蓝色波段的光的多个LED(3)；多个荧光发光层(5)，其对应于光三原色而排列设置在多个上述LED(3)上，由从该LED(3)放射的激发光激发而将该激发光分别波长转换为对应颜色的荧光；以及激发光截止层(8)，其设置为覆盖在上述荧光发光层(5)上，将上述激发光阻断。
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公开(公告)号：CN105121692A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480020185.0
申请日：2014-03-31
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: C23C14/042 , H01L51/0011
Abstract: 本发明是成膜掩模(1)，成膜掩模(1)具有使树脂制的膜(3)与片状的磁性金属构件(2)的一面紧密接触而形成的结构，磁性金属构件(2)具有并列排列的狭缝状的多个贯通孔(5)，成膜掩模(1)设有在上述各贯通孔(5)内的上述膜(3)的部分贯通的多个开口图案(6)，上述膜(3)具有线膨胀系数在正交二轴不同的各向异性，上述膜(3)的线膨胀系数小的轴与和上述磁性金属构件(2)的上述贯通孔(5)的长轴交叉的方向一致。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103415810B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201280011253.8
申请日：2012-02-02
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02B13/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B3/0056 , G03F7/70275 , G03F7/70358
Abstract: 在曝光装置中，设置有射入透过了光源和掩模的曝光用光，并以具有规定的规则性配置的使正立等倍像在基板上成像的多个微透镜的微透镜阵列。进而，在基板到达了规定位置时，从光源脉冲地照射激光，将基板依次曝光，在基板的曝光对象区域的全域被曝光之后，将微透镜阵列与掩模的相对位置关系，仅以微透镜的行间距，在列方向依次切换，进行下一个顺序的曝光。由此，能以短曝光行程进行高精度且高分辨率的曝光。
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公开(公告)号：CN104813598A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380058348.X
申请日：2013-10-03
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H04B10/80 , H01L31/10 , H01L31/12 , H01L33/34 , H04B10/114
CPC classification number: H04B10/803 , H01L25/167 , H01L31/167 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光互连装置，其能够通过比较简单的制造工序提高基板上的发光元件或受光元件的对准精确度，且能够抑制基板间即芯片间信号传输的串扰。本发明的光互连装置(1)，其在层叠配置的多个半导体基板(10)之间进行光信号的发送接收，其中，配置于一个半导体基板(10)的多个发光元件(2)或受光元件(3)具备将半导体基板(10)作为共用的半导体层(10p)的pn结(10pn)，在不同的半导体基板(10)之间进行光信号的发送接收的一对发光元件(2、2-1)和受光元件(3、3-1)分别进行共同波长(λ1)下的发光和受光。
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公开(公告)号：CN103140804B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180048221.0
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02B3/00 , H01L21/027
CPC classification number: G02B3/0037 , G02B3/0062 , G02B26/0875 , G03F7/70258 , G03F7/70275
Abstract: 扫描曝光装置通过多个微透镜阵列（2），将掩模（3）的曝光图案投影于衬底（1）上。此时，通过线性CCD相机检测衬底上的图像，将衬底上的第一层图案作为基准图案，检测掩模的曝光图案是否与该基准图案一致。不一致时，使微透镜阵列从平行于衬底的方向倾斜，调整由微透镜阵列形成的衬底上的曝光区域，使掩模的曝光图案与基准图案一致。由此，即使产生曝光图案与基准图案的偏移，也能在曝光中检测该偏移，防止曝光图案的错位，能够提高重叠曝光中的曝光图案的精度。
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公开(公告)号：CN104412152A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380034672.8
申请日：2013-03-29
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G02F1/1337 , G02F1/13
CPC classification number: G02F1/133788 , G02F1/133753 , G02F2001/133757
Abstract: 本发明提供一种光取向曝光方法及光取向曝光装置。将取向曝光方式适用于多域法时，消除单位图像区域的分割区域的边界附近的取向混乱。一种光取向曝光方法，其将液晶显示元件的各单位图像区域(Pa)分割为多个分割区域(Da1、Da2)，并分别向不同方向对各分割区域(Da1、Da2)的取向材料膜进行光取向，所述光取向曝光方法具有：第1曝光工序，相对于整个单位图像区域(Pa)的被曝光面以倾斜的光照射角度(θ1)照射光；及第2曝光工序，相对于分割区域(Da1、Da2)中的一个区域即第2分割区域(Da2)，用以与第1曝光工序中的光照射角度(θ1)不同的角度倾斜的光照射角度(θ2)照射光。第2曝光工序经由与分割区域(Da1、Da2)中的一个区域即第2分割区域(Da2)对应的掩模图案照射光，通过聚光机构(13)对掩模图案的透射光进行聚光并照射于所曝光的第2分割区域(Da2)。
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公开(公告)号：CN103885247A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410070500.2
申请日：2009-04-02
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133788
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示装置的制造方法，其在对在TFT基板和相对电极基板之间以矩阵状形成多个像素并密封有液晶的液晶显示用基板的所述各像素施加了电场的状态，对所述液晶显示用基板照射规定波长的光，使得所述液晶的分子定向于规定方向，包括：将所述液晶显示用基板和灯体以相互相对的状态浸入到具有规定值以上的电阻率并对所述光具有充分的高透过率的透明液体中的步骤；和在对所述各像素施加了规定量的电场的状态下点亮所述灯体并对所述液晶显示用基板照射规定光量的所述光的步骤。
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