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公开(公告)号:CN107527833A
公开(公告)日:2017-12-29
申请号:CN201610449977.0
申请日:2016-06-21
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6715
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片涂胶方法、装置及设备,其中,方法包括:步骤将半导体芯片水平固定在旋转电机上;将出胶口移至半导体芯片的涂胶部位;启动旋转电机,使半导体芯片随旋转电机以第一预设旋转速度旋转;控制出胶口出胶预设时间,使胶水覆盖在半导体芯片的涂胶部位。上述方法通过定量控制出胶口的出胶时间和旋转电机的第一预设旋转速度,来控制涂覆在半导体芯片上的胶层厚度,使涂覆的胶层厚度均匀,没有气泡,且不会出现笔毛及刷毛脱落在胶层中的现象,由于整个涂胶过程采用全自动控制,提高了工作效率,同时提高了半导体芯片的涂胶质量。
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公开(公告)号:CN109514354A
公开(公告)日:2019-03-26
申请号:CN201710852669.7
申请日:2017-09-19
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片台面的加工方法,包括:根据磨轮转速及磨料的硬度及颗粒大小确定磨轮的最大磨削速度x;根据公式1)v12+v22≤x2,其中,v2为芯片与所述磨轮的接近速度,v1为芯片自转线速度,使得芯片以螺旋曲线轨迹进行磨削。应用本发明公开的半导体芯片的台面加工方法,芯片的径向磨削和切向磨削同时进行,使得芯片以螺旋曲线轨迹磨削,芯片所受应力受控,从而避免芯片与磨轮接近或芯片自旋转过程中产生严重的磨削损伤,保证芯片的高压阻断特性。
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公开(公告)号:CN109427581A
公开(公告)日:2019-03-05
申请号:CN201710765588.3
申请日:2017-08-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种大功率整流管芯的制造方法,包括:铝杂质扩散步骤、第一化学腐蚀步骤、第一氧化步骤、第二化学腐蚀步骤、磷杂质扩散步骤、第二氧化步骤、第三化学腐蚀步骤和硼杂质扩散步骤。在第一化学腐蚀步骤中,对通过铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀,以去除阴极面的铝杂质并保留阳极面的铝杂质。在第二化学腐蚀步骤中,对通过第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀,以去除阴极面的氧化层并保留阳极面的氧化层。在第三化学腐蚀步骤中,对通过第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀,以去除阳极面的氧化层并保留阴极面的氧化层。采用本发明可缩短三天的工艺时间,节省大量人力物力,降低环境污染,避免光刻胶脱落对芯片质量的影响。
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