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公开(公告)号：CN112147422B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910574318.3
申请日：2019-06-28
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于核聚变等离子体诊断领域，具体一种托卡马克密度涨落和电磁场涨落相关性测量装置。包括发射微波源和微波本征源，包括与发射微波源连接的微波发射链路、与微波本征源连接的微波本征链路、微波接收天线、正交模转换器；微波接收天线上安装角度旋转装置。本装置能够实现严格的等离子体密度涨落和磁涨落分别同时测量，从而实现局域测量物理量之间的相关性计算，系统具有集成度高，简便灵活，成本低，易维护的特点。
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公开(公告)号：CN108269620B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201611254936.2
申请日：2016-12-30
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于磁约束聚变技术领域，具体涉及一种托卡马克鼎偏滤器磁场位形构建方法。本发明的方法，设置的第一极向场线圈、第二极向场线圈、第三极向场线圈和第四极向场线圈的几何中心位置与第一X点的距离分别为1～1.5a、1.5～3a、1.5～3a和1.5～2.0a，其中a为等离子体小半径。本发明解决了现有的托卡马克磁约束等离子体实验装置的常规偏滤器靶板受热面积较小，在高加热运行条件下，偏滤器靶板冷却面临重大技术挑战的技术问题。构建的鼎偏滤器磁场位形结构，不仅能缓解靶板热负载，改善偏滤器运行与芯部高加热等离子体运行的兼容性，更好发挥其排灰和屏蔽杂质的特性，也降低实现先进偏滤器位形对线圈电流强度和线圈布置复杂程度的要求。
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公开(公告)号：CN113851230B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202010595055.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种超声分子束加料强束流聚束装置。所述的聚束装置采用同心环预送气结构，提高背景真空度，使得超声分子束在注入时，受到背景气体作用，从而降低真空中的扩散角，提高聚束性能。包括同心环预送气阀门，延时器，真空段，分子束脉冲控制器，分子束送气阀门以及分子泵。通过流体力学方式对其进行发散角压缩，达到聚束的作用，同时不剥离超声分子束本身的束流粒子，使其保持在具有大量粒子数的强束流状态。该装置通过合理控制延时时间和背景气体扩散量，能够达到良好的聚束效果，同时通过合理控制延时时间，能够在超声分子束束流注入后，分子泵抽离背景气体，保持加料系统真空度。
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公开(公告)号：CN113919176B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202111265136.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了聚变堆包层全堆氚增殖比的优化方法、装置、设备及介质，该方法包括：对聚变堆产氚包层系统的初始方案进行三维中子输运计算，进行各功能区的几何边界微扰动及密度微扰动下的一阶与二阶微扰计算，得到初始方案在各微扰状态下各氚增殖区的多群氚增殖比；根据多群氚增殖比，计算在各微扰状态下各氚增殖区各能群的微扰系数；根据微扰系数，得到整个包层系统的氚增殖比随各功能区边界扰动量与各功能区密度扰动量的多维二阶解析函数；根据多维二阶解析函数，采用模拟退火算法找出整个包层模块在微扰计算有效区间内的全堆最优解；重复上述步骤，多次迭代直至收敛，得到聚变堆产氚包层的产氚性能最优方案。
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公开(公告)号：CN113919176A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111265136.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了聚变堆包层全堆氚增殖比的优化方法、装置、设备及介质，该方法包括：对聚变堆产氚包层系统的初始方案进行三维中子输运计算，进行各功能区的几何边界微扰动及密度微扰动下的一阶与二阶微扰计算，得到初始方案在各微扰状态下各氚增殖区的多群氚增殖比；根据多群氚增殖比，计算在各微扰状态下各氚增殖区各能群的微扰系数；根据微扰系数，得到整个包层系统的氚增殖比随各功能区边界扰动量与各功能区密度扰动量的多维二阶解析函数；根据多维二阶解析函数，采用模拟退火算法找出整个包层模块在微扰计算有效区间内的全堆最优解；重复上述步骤，多次迭代直至收敛，得到聚变堆产氚包层的产氚性能最优方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113532759A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110472077.9
申请日：2021-04-29
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都国光电气股份有限公司
Abstract: 本发明属于元器件技术领域，具体涉及一种精密热氦检漏用电加热元件和检漏方法。本发明中，电加热元件安装在加热棒套筒内部，加热棒套筒开口部设有电加热棒连接法兰，与内部的电加热棒连接；加热棒套筒的外壁上安装有套筒连接法兰，在电加热棒连接法兰与套筒连接法兰之间的加热棒套筒上，连接有三通接头，三通接头与加热棒套筒内部连通，另一端连接至氦气输入口；真空室底部开有通孔，通孔上设有与套筒连接法兰相配合的安装基础，加热棒套筒插入通孔内，通过套筒连接法兰与真空室固定安装。本发明能有效降低电加热元件高温下的漏率并能实现大型真空腔室内被检工件均匀高效升温的技术要求，满足大型真空腔室真空室加热系统的使用需求。
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公开(公告)号：CN111950177A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010710392.6
申请日：2020-07-22
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: G06F30/23 , G06F30/28 , G06F113/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及于聚变堆产氚包层中子学领域，具体涉及到一种固态产氚包层的多物理场耦合中子学自动优化方法。本发明包括如下步骤：步骤1：将固态产氚包层分区；列出一维含内热源对流边界导热微分方程；采用有限差分方法解得各区的一维温度分布；步骤2：根据各增殖区的厚度，得到各增殖区的均匀化密度；步骤3：筛选出满足热工条件下TBR最大的方案作为下一优化步的初始几何方案；步骤4：重复步骤3的过程多次迭代直至收敛，筛选出在满足热工条件下的TBR最大方案，可实现多物理耦合下聚变堆固态产氚包层的中子学自动优化。本发明能够考虑温度场与密度场的反馈，自动并快速获得固态产氚包层高氚增殖比的方案。
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公开(公告)号：CN117373743A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311592980.4
申请日：2023-11-27
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于聚变堆的超导CICC导体及其制造方法，包括铜骨架和金属包壳，铜骨架呈圆柱状，铜骨架沿长度方向开有多条冷却流道和多条导线槽，冷却流道和导线槽的两端均贯通铜骨架的端面，全部冷却流道及全部导线槽呈环状围绕铜骨架的轴线均匀分布，导线槽内嵌设有超导堆叠带；金属包壳包覆于铜骨架的侧壁。其能够解决现有的用于聚变堆的超导CICC导体机械稳定性和热稳定性不可兼得、制造工艺不具备公里级无接头导体制备的可行性且超导带材容易在高背景场下发生脱层破坏的问题。
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公开(公告)号：CN112530606B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202011256444.3
申请日：2020-11-11
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于核聚变等离子体控制技术，具体公开一种自动杂质气体加速混合系统及气体加速混合控制方法，系统包括两种送气气路和混合送气气路，送气气路包括减压阀、隔离阀、储气瓶、放气阀和抽气阀、送气阀和送气微调阀，以及截止阀；混合送气气路包括隔离阀、混合段气瓶、放气阀和抽气阀、送气阀和送气微调阀、差压压力计和安全阀。打开每一路气源，设定氘气压强值，使气体进入储气瓶后送气至截止阀，先打开压强小的送气气路中的截止阀，使气体在混合段气瓶均匀混合后经过安全阀流出。混合气体经由超声分子束喷出，通过分子碰撞过程，使得杂质分子被加速到千米量级，能够抵达等离子体截面边界内较深的台基区域，达到控制边缘局域模的效果。
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公开(公告)号：CN113851230A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010595055.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种超声分子束加料强束流聚束装置。所述的聚束装置采用同心环预送气结构，提高背景真空度，使得超声分子束在注入时，受到背景气体作用，从而降低真空中的扩散角，提高聚束性能。包括同心环预送气阀门，延时器，真空段，分子束脉冲控制器，分子束送气阀门以及分子泵。通过流体力学方式对其进行发散角压缩，达到聚束的作用，同时不剥离超声分子束本身的束流粒子，使其保持在具有大量粒子数的强束流状态。该装置通过合理控制延时时间和背景气体扩散量，能够达到良好的聚束效果，同时通过合理控制延时时间，能够在超声分子束束流注入后，分子泵抽离背景气体，保持加料系统真空度。
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