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公开(公告)号：CN100454058C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN01806335.7
申请日：2001-01-31
申请人： 格拉斯哥大学理事会
发明人： 约翰·H·马什 , 西蒙·E·希克斯 , 詹姆斯·S·艾奇逊 , 仇伯仓 , 斯图尔特·D·麦克杜格尔
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： B82Y20/00 , G02B6/12004 , G02B6/42 , G02B2006/12119 , G02B2006/12121 , G02B2006/12123 , G02B2006/12128 , H01S5/026 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/3414
摘要： 本发明公开了一种改进的集成光学装置(5a-5g)，该装置设有第一和第二装置(10a-10g；15a，15e)，后者彼此光耦合并以第一和第二不同的材料体系制成，第一或第二装置(10a-10g；15a，15e)之一在第一与第二装置(10a-10g；15a，15e)之间的耦合区处或其附近具有量子势阱混杂(QWI)区(20a，20g)。第一材料体系可以是基于砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)的III-V半导体，而第二材料体系可以是二氧化硅(SiO2)、硅(Si)、铌酸锂(LiNbO3)、聚合物，或玻璃。
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公开(公告)号：CN1416533A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN01806335.7
申请日：2001-01-31
申请人： 格拉斯哥大学理事会
发明人： 约翰·H·马什 , 西蒙·E·希克斯 , 詹姆斯·S·艾奇逊 , 仇伯仓 , 斯图尔特·D·麦克杜格尔
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： B82Y20/00 , G02B6/12004 , G02B6/42 , G02B2006/12119 , G02B2006/12121 , G02B2006/12123 , G02B2006/12128 , H01S5/026 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/3414
摘要： 本发明公开了一种改进的集成光学装置(5a－5g)，该装置设有第一和第二装置(10a－10g；15a，15e)，后者彼此光耦合并以第一和第二不同的材料体系制成，第一或第二装置(10a－10g；15a，15e)之一在第一与第二装置(10a－10g；15a，15e)之间的耦合区处或其附近具有量子势阱混杂(QWI)区(20a，20g)。第一材料体系可以是基于砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)的III－V半导体，而第二材料体系可以是二氧化硅(SiO2)、硅(Si)、铌酸锂(LiNbO3)、聚合物，或玻璃。
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公开(公告)号：CN1260775C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02804022.8
申请日：2002-01-23
申请人： 格拉斯哥大学理事会
发明人： 克雷格·J·汉密尔顿 , 奥利克·P·科沃尔斯基 , 约翰·H·马什 , 斯图尔特·D·麦克杜格尔
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/3413 , H01S5/3414
摘要： 本发明公开了一种制造光学器件(例如，半导体光电器件，如激光二极管、光调制器、光放大器、光开关等)的方法。本发明还公开了一种包括此类器件的光电集成电路(OEIC)和光子集成电路(PIC)。根据本发明，提供一种制造光学器件(40)的方法，该器件(40)是从一包括量子阱结构(30)的器件基体部分(5)制得的，该方法包括步骤：在该器件基体部分(5)上沉积介电层(51)以前，等离子体蚀刻该器件基体部分(5)的表面的至少一部分，从而将结构缺陷至少引入该器件基体部分(5)的与该介电层(51)邻近的部分(53)中。该结构缺陷主要包括“点”缺陷。
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公开(公告)号：CN1488163A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN02804022.8
申请日：2002-01-23
申请人： 格拉斯哥大学理事会
发明人： 克雷格·J·汉密尔顿 , 奥利克·P·科沃尔斯基 , 约翰·H·马什 , 斯图尔特·D·麦克杜格尔
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/3413 , H01S5/3414
摘要： 本发明公开了一种制造光学器件(例如，半导体光电器件，如激光二极管、光调制器、光放大器、光开关等)的方法。本发明还公开了一种包括此类器件的光电集成电路(OEIC)和光子集成电路(PIC)。根据本发明，提供一种制造光学器件(40)的方法，该器件(40)是从一包括量子阱混杂(QWI)结构(30)的器件基体部分(15)制得的，该方法包括步骤：在该器件基体部分(5)上沉积介电层(51)以前，等离子体蚀刻该器件基体部分(5)的表面的至少一部分，从而将结构缺陷至少引入该器件基体部分(5)的与该介电层(51)邻近的部分(53)中。该结构缺陷主要包括“点”缺陷。
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公开(公告)号：CN1287424C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02806121.7
申请日：2002-02-01
申请人： 格拉斯哥大学理事会
发明人： 约翰·H·马什 , 斯图尔特·D·麦克杜格尔 , 克雷格·J·汉密尔顿 , 奥利克·P·科沃尔斯基
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/026 , H01S5/2063 , H01S5/2068 , H01S5/3414
摘要： 本发明公开了一种制造光学器件(40)的改进的方法，特别地例如激光二极管、光调制器、光放大器、光转换器以及光检测器的半导体光电器件。本发明提供了一种制造光学器件(40)的方法，其中用于制作器件(40)的器件体部分(5)包括量子阱(QW)结构(30)，该方法包括对器件体部分(5)进行处理以使至少在器件体部分(5)的一部分(53)中形成延展缺陷的步骤。每一延展缺陷为包括多个相邻“点”缺陷的结构缺陷。
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公开(公告)号：CN1496579A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN02806121.7
申请日：2002-02-01
申请人： 格拉斯哥大学理事会
发明人： 约翰·H·马什 , 斯图尔特·D·麦克杜格尔 , 克雷格·J·汉密尔顿 , 奥利克·P·科沃尔斯基
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/026 , H01S5/2063 , H01S5/2068 , H01S5/3414
摘要： 本发明公开了一种制造光学器件(40)的改进的方法，特别地例如激光二极管、光调制器、光放大器、光转换器以及光检测器的半导体光电器件。本发明提供了一种制造光学器件(40)的方法，其中用于制作器件(40)的器件体部分(5)包括量子阱(QW)结构(30)，该方法包括对器件体部分(5)进行处理以使至少在器件体部分(5)的一部分(53)中形成延展缺陷的步骤。每一延展缺陷为包括多个相邻“点”缺陷的结构缺陷。
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