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公开(公告)号:CN104190404B
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201410474144.0
申请日:2014-09-17
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种可见光响应的光催化剂SmNbMo2O10及其制备方法。该光催化剂的化学组成式为SmNbMo2O10。本发明还公开了上述材料的制备方法。本发明得到的光催化剂具有光谱响应范围宽,光转换效率高和稳定性好等优点在可见光照射下具有分解有害化学物质、有机生物质和杀菌的作用;另外制备方法简单、合成温度低,成本低,适合工业生产与应用。
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公开(公告)号:CN104261826B
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201410481059.7
申请日:2014-09-19
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/505 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷ZnY3VO8及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的ZnO、Y2O3和V2O5的原始粉末按ZnY3VO8的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在900℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在950~990℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在950~990℃烧结良好,介电常数达到7.3~7.9,其品质因数Qf值高达73000-96000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号:CN104261830B
公开(公告)日:2015-12-30
申请号:CN201410496845.4
申请日:2014-09-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷BaBi2W6O22及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的BaCO3、Bi2O3和WO3的原始粉末按BaBi2W6O22的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在750~780℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在750~780℃烧结良好,介电常数达到17.8~18.4,其品质因数Qf值高达55000-67000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号:CN103539449B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201310459121.8
申请日:2013-10-07
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结的微波介电陶瓷BiNbW2O10及其制备方法。可低温烧结的微波介电陶瓷的组成为BiNbW2O10。(1)将纯度为99.9%以上的Bi2O3、Nb2O5和WO3的原始粉末按BiNbW2O10化学式称量配料。(2)将步骤(1)原料混合湿式球磨12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时。(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在900~930℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在900~930℃烧结良好,其介电常数达到17~18,品质因数Qf值高达86000-98000GHz,谐振频率温度系数小,可以与Ag电极低温共烧,在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号:CN103922723B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201410135662.X
申请日:2014-04-06
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种超低温烧结的微波介电陶瓷Li3V3Bi2O12及其制备方法。超低温烧结的微波介电陶瓷的化学组成为Li3V3Bi2O12。(1)将分析纯的Li2CO3、V2O5和Bi2O3的原始粉末按Li3V3Bi2O12化学式称量配料。(2)将步骤(1)原料加入蒸馏水混合湿式球磨12小时,烘干后在550℃大气气氛中预烧6小时。(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在600~620℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在600~620℃烧结良好,其介电常数达到15~16,品质因数Qf值高达91000-105000GHz,谐振频率温度系数小,可与Ag低温共烧,在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号:CN103880422B
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201410136331.8
申请日:2014-04-06
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种超低温烧结的微波介电陶瓷Li3Nb3B2O12及其制备方法。超低温烧结的微波介电陶瓷的化学组成为Li3Nb3B2O12。(1)将分析纯的Li2CO3、Nb2O5和B2O3的原始粉末按Li3Nb3B2O12化学式称量配料。(2)将步骤(1)原料加入蒸馏水混合湿式球磨12小时,烘干后在600℃大气气氛中预烧6小时。(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在650~680℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在650~680℃烧结良好,其介电常数达到9~10,品质因数Qf值高达110000-138000GHz,谐振频率温度系数小,可与Ag低温共烧,在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号:CN103553611B
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201310544005.6
申请日:2013-11-06
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结的微波介电陶瓷Bi2Fe2Mo3O15及其制备方法。可低温烧结的微波介电陶瓷的组成为Bi2Fe2Mo3O15。(1)将纯度为99.9%以上的Bi2O3、Fe2O3和MoO3的原始粉末按Bi2Fe2Mo3O15化学式称量配料。(2)将步骤(1)原料混合湿式球磨12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在750℃大气气氛中预烧6小时。(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在810~840℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在810~840℃烧结良好,其介电常数达到15~16,品质因数Qf值高达83000-94000GHz,谐振频率温度系数小,可以与Ag电极低温共烧,在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号:CN104591701A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201410825673.0
申请日:2014-12-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/04 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2Mg5O6及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3和MgO的原始粉末按Li2Mg5O6的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为无水乙醇,烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在850~900℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷烧结良好,介电常数达到7.5~7.9,其品质因数Qf值高达131000-167000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号:CN103496973B
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201310459091.0
申请日:2013-10-07
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结的微波介电陶瓷BiTiNbO6及其制备方法。可低温烧结的微波介电陶瓷的组成为BiTiNbO6。(1)将纯度为99.9%以上的Bi2O3、TiO2和Nb2O5的原始粉末按BiTiNbO6化学式称量配料。(2)将步骤(1)原料混合湿式球磨12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时。(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在910~940℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在910-940℃烧结良好,其介电常数达到26~27,品质因数Qf值高达56000-71000GHz,谐振频率温度系数小,可以与Ag电极低温共烧,在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号:CN104311039A
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201410561367.0
申请日:2014-10-21
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/582 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种超低介电常数微波介电陶瓷Li2SiAl3N5及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li3N、Si3N4和AlN的原始粉末按Li2SiAl3N5的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为无水乙醇,烘干后在1200℃氮气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末再压制成型,最后在1300~1350℃氮气气氛中烧结8小时。本发明制备的陶瓷在烧结良好,介电常数达到5.7~6.3,其品质因数Qf值高达140000-172000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。
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