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发明公开
一种基于柔性衬底的铁酸铋铁电存储器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118890957A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410921181.5

申请日：2024-07-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘兴鹏 , 彭一鸣 , 李海鸥 , 孙堂友 , 张法碧

IPC: H10N97/00 , H10B53/30

Abstract: 本发明属于微电子存储技术领域，公开了一种基于柔性衬底的铁酸铋铁电存储器及其制备方法，该基于柔性衬底的铁酸铋铁电存储器由下至上依次为云母基底层、SrTiO3缓冲层、La0.65Sr0.35MnO3底电极层、BiFeO3铁电功能氧化物层和Pt上电极层；其制备方法包括：S1、去除云母表面杂质，等待薄膜生长；S2、制备缓冲层；S3、制备底电极层；S4、原位退火；S5～S6、制备BiFeO3铁电功能氧化物层；S7、原位退火；S8、制备Pt上电极层。本发明利用云母作为基底材料、SrTiO3作为缓冲层、La0.65Sr0.35MnO3作为底电极、BiFeO3作为铁电功能氧化物、Pt金属作为上电极，形成多层叠堆结构，使其能够在柔性器件中实现数据的读取和存储功能。本发明适用于可穿戴设备、柔性人工突触等领域。

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