公开(公告)号：CN106025572B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201610361365.6

申请日：2016-05-26

Applicant: 华北水利水电大学 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 朱四新 ,  姜彦南 ,  高超宁 ,  王娇

IPC: H01Q17/00

Abstract: 一种基于局部非周期结构的石墨烯超宽带吸波器，包括金属板层，在金属板层上面至少设置一层吸波层，吸波层由下而上依次设置有介质层、硅层、绝缘介质层和石墨烯层，硅层、绝缘介质层和石墨烯层构成偏压层，其中石墨烯层与硅层分别接外加偏置电压的正负电极，石墨烯层由若干个石墨烯基本单元在二维方向上以陈列形式组成。本发明具有很强的实用性，广泛地用于微波波段、低THz波段。由于其具有简易性的结构，容易在加工工艺中实现。通过调节石墨烯层的阻抗值及非周期结构应用，使吸波器获得超宽带吸波且呈现对极化不敏感的特性。引入多层非周期石墨烯结构，再对每一层加载适当偏置电压，进而使吸波器获得比基于单层的、周期的结构更宽的吸波带宽。

公开(公告)号：CN106025572A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610361365.6

申请日：2016-05-26

Applicant: 华北水利水电大学 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 朱四新 ,  姜彦南 ,  高超宁 ,  王娇

IPC: H01Q17/00

CPC classification number: H01Q17/00

Abstract: 一种基于局部非周期结构的石墨烯超宽带吸波器，包括金属板层，在金属板层上面至少设置一层吸波层，吸波层由下而上依次设置有介质层、硅层、绝缘介质层和石墨烯层，硅层、绝缘介质层和石墨烯层构成偏压层，其中石墨烯层与硅层分别接外加偏置电压的正负电极，石墨烯层由若干个石墨烯基本单元在二维方向上以陈列形式组成。本发明具有很强的实用性，广泛地用于微波波段、低THz波段。由于其具有简易性的结构，容易在加工工艺中实现。通过调节石墨烯层的阻抗值及非周期结构应用，使吸波器获得超宽带吸波且呈现对极化不敏感的特性。引入多层非周期石墨烯结构，再对每一层加载适当偏置电压，进而使吸波器获得比基于单层的、周期的结构更宽的吸波带宽。

公开(公告)号：CN105161832A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510492257.8

申请日：2015-08-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱四新 ,  姜彦南 ,  袁锐 ,  曹卫平 ,  高超宁 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: H01Q1/38

Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯覆层的可重构天线，包括天线本体，该天线本体包括接地板和直立于接地板上的单极子；所述天线本体还进一步包括一上下贯通、并呈中空柱状的电介质套筒，电介质套筒位于接地板的上方且置于单极子的外围；电介质套筒的内外侧表面中的一侧表面涂覆有石墨烯覆层，另一侧表面涂覆有硅覆层；上述石墨烯覆层和硅覆层各与外置偏置电压的一端相连，且与外置偏置电压的正极相连的石墨烯覆层或硅覆层与接地板之间存在一定的间隙。通过将石墨烯覆层和硅覆层分隔成多块，并控制其外置偏置电压，使得天线具有宽频带、频率可重构和/或辐射方向图可重构的特点。

公开(公告)号：CN204834860U

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201520605184.4

申请日：2015-08-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱四新 ,  姜彦南 ,  袁锐 ,  曹卫平 ,  高超宁 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: H01Q1/38

Abstract: 本实用新型公开一种基于石墨烯覆层的可重构天线，包括天线本体，该天线本体包括接地板和直立于接地板上的单极子；所述天线本体还进一步包括一上下贯通、并呈中空柱状的电介质套筒，电介质套筒位于接地板的上方且置于单极子的外围；电介质套筒的内外侧表面中的一侧表面涂覆有石墨烯覆层，另一侧表面涂覆有硅覆层；上述石墨烯覆层和硅覆层各与外置偏置电压的一端相连，且与外置偏置电压的正极相连的石墨烯覆层或硅覆层与接地板之间存在一定的间隙。通过将石墨烯覆层和硅覆层分隔成多块，并控制其外置偏置电压，使得天线具有宽频带、频率可重构和/或辐射方向图可重构的特点。