格栅堆积薄膜材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN110943210A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201911190678.X

    申请日:2019-11-28

    Inventor: 李昊逍 俞兆喆

    Abstract: 本发明提供了一种格栅堆积薄膜材料及其制备方法和应用。所述格栅堆积薄膜材料包括基体和生长在所述基体表面上的格栅堆积结构,所述格栅堆积结构包括结构支撑主体和能量密度贡献主体,所述结构支撑主体和能量密度贡献主体交替堆积。所述格栅堆积薄膜材料循环稳定性好,倍率性能优异,同时具有高的比容量,且其具有界面电阻小的特性。其制备方法有效保证制备的格栅堆积薄膜材料的性能稳定,且效率高。

Patent Agency Ranking