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公开(公告)号：CN111293187B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010112026.0
申请日：2020-02-24
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L31/054 , H01L31/0445 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开了一种双光栅高效太阳能电池，所述双光栅高效太阳能电池包括晶硅表面纳米结构光栅、背金属纳米结构光栅、吸收层和背金属层，所述晶硅表面纳米结构光栅位于所述吸收层的上表面，所述背金属纳米结构光栅位于所述背金属层的上表面，所述吸收层位于所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅之间，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅具有不同侧壁轮廓，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅中的纳米结构按照自组装AAO模板的排列方式，降低成本，提高效率。
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公开(公告)号：CN113233431A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110477748.0
申请日：2021-04-30
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C01B21/064
摘要： 本发明公开了一种二维材料成膜方法，通过超声并静置使所述二维材料膜更加均匀，并通过排液将二维材料膜均匀的、大面积的、无伤的和低成本的转移在所述金属衬底上面。由于所述溶液都是可挥发的溶剂，因此在制备过程中并不会产生其他的杂质污染。利用液相剥离并离心处理得到所述上清液，所述上清液的纳米片层数较少，面积较小，能够增加所述二维材料膜的覆盖性，使边界处能够更好的接触，在液面形成的所述二维材料膜质量更加致密，通过加压压紧所述样片，增加所述二维材料膜的致密性，将压过的样片在所述金属衬底的熔点退火时，二维材料与所述金属衬底之间处于最佳的接触状态，在高温下二维材料的悬挂键被激活，以此来修复晶格缺陷，保证了成膜质量。
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公开(公告)号：CN112099311B
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202011001312.6
申请日：2020-09-22
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO表面生长一层金属层，再依次去除PMMA层和AAO层，利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出，将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层，最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上，再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版，具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。
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公开(公告)号：CN113241406B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110481388.1
申请日：2021-04-30
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H10N70/20
摘要： 本发明公开了一种二维材料阻变存储器及其制备方法，相比于化学气相沉积制备的阻变存储器具有制备方便和对设备没有依赖性等优势，对于滴铸、旋涂等方法制备的阻变存储器又具有均匀性好，重复性好，制备简单等优势。利用本发明所述方法制备的二维材料阻变存储器所展示了6个数量级的开关比，相比于其他传统材料在几十纳米以下表现出的2到3个数量级具有明显优势，并且高于基于滴铸法和旋涂法制备的二维材料阻变存储器所展示的4到5个数量级，在制备简单、对设备依赖性不高的情况下能够达到与化学气相沉积所制备的二维材料阻变存储器(7个数量级)相似的开关比，在这样的高开关比下阻变存储器还具有着多级储存的潜力。
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公开(公告)号：CN112099311A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011001312.6
申请日：2020-09-22
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO表面生长一层金属层，再依次去除PMMA层和AAO层，利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出，将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层，最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上，再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版，具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。
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公开(公告)号：CN111916558B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010746740.5
申请日：2020-07-29
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H10N70/00
摘要： 本发明公开了一种以六方氮化硼(h‑BN)作为中间插层的忆阻器，所述以h‑BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，以二维材料h‑BN作为中间插层的结构，夹在所述高空位介质层和所述低空位介质层之间，能够充分发挥h‑BN的材料特性提高忆阻器整体性能，并且凭借传统忆阻器介质材料以及二维材料h‑BN的特性，可以提高忆阻器的整体性能。
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公开(公告)号：CN111293187A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010112026.0
申请日：2020-02-24
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L31/054 , H01L31/0445 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开了一种双光栅高效太阳能电池，所述双光栅高效太阳能电池包括晶硅表面纳米结构光栅、背金属纳米结构光栅、吸收层和背金属层，所述晶硅表面纳米结构光栅位于所述吸收层的上表面，所述背金属纳米结构光栅位于所述背金属层的上表面，所述吸收层位于所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅之间，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅具有不同侧壁轮廓，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅中的纳米结构按照自组装AAO模板的排列方式，降低成本，提高效率。
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公开(公告)号：CN113241406A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110481388.1
申请日：2021-04-30
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种二维材料阻变存储器及其制备方法，相比于化学气相沉积制备的阻变存储器具有制备方便和对设备没有依赖性等优势，对于滴铸、旋涂等方法制备的阻变存储器又具有均匀性好，重复性好，制备简单等优势。利用本发明所述方法制备的二维材料阻变存储器所展示了6个数量级的开关比，相比于其他传统材料在几十纳米以下表现出的2到3个数量级具有明显优势，并且高于基于滴铸法和旋涂法制备的二维材料阻变存储器所展示的4到5个数量级，在制备简单、对设备依赖性不高的情况下能够达到与化学气相沉积所制备的二维材料阻变存储器(7个数量级)相似的开关比，在这样的高开关比下阻变存储器还具有着多级储存的潜力。
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公开(公告)号：CN111916558A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010746740.5
申请日：2020-07-29
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种以六方氮化硼(h-BN)作为中间插层的忆阻器，所述以h-BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，以二维材料h-BN作为中间插层的结构，夹在所述高空位介质层和所述低空位介质层之间，能够充分发挥h-BN的材料特性提高忆阻器整体性能，并且凭借传统忆阻器介质材料以及二维材料h-BN的特性，可以提高忆阻器的整体性能。
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公开(公告)号：CN214625089U
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202121000154.2
申请日：2021-05-11
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本实用新型公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，包括衬底层、底电极层、第一阻变层、氧化层、第二阻变层和顶电极层。通过基于过渡金属硫族化合物的3层堆垛结构，一方面可以发挥该族二维材料的优势，优良的机械性和高透性使器件具有柔性光控忆阻器的潜能，通过氧化手段，引入氧化层，增加氧空位含量，可降低器件的转变电压，实现器件低功耗的提高忆阻器的性能，通过第一阻变层和第二阻变层的加入，可以防止底电极层和顶电极层过度氧化影响阻变性能，使忆阻器的性能得到提升。解决目前忆阻器稳定性、耐受性降低的问题。
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