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公开(公告)号：CN113300118B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110617346.6
申请日：2021-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种实现电磁诱导透明和完美吸收的双功能器件。该器件在基本单元结构所在平面呈阵列结构，其基本单元结构特征是：由二氧化钒1、二氧化硅2、石墨烯开口环3和石墨烯条带4组成，石墨烯条带4沿长轴方向插到石墨烯开口环3中，与开口环内侧不接触。当二氧化钒电导率较小表现为绝缘体时，该结构可实现电磁诱导透明效果，调节石墨烯的费米能级和二氧化钒的电导率实现对透明窗口和群时延的调节、调制功能；增加二氧化钒电导率表现为金属性时，该结构可实现双频带完美吸收功能，吸收峰可通过控制石墨烯的费米能级来调谐。本发明可用于集成光学设备中的调制器、慢光器件、光开关和完美吸收器等。
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公开(公告)号：CN111446551B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010218738.0
申请日：2020-03-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯超表面的多频带可调太赫兹吸波器。该吸波器从下到上依次为第一层金属、第二层电介质和顶部第三层周期性图案化的单层石墨烯。其中金属层采用金，中间介质层为二氧化硅。三层材料之间的相互作用形成一个对太赫兹波具有近乎完美吸收效果的多频带吸波器。该吸波器具有强吸收、偏振不敏感、结构简单、便于加工等优势，由于石墨烯的费米能级可调性，可以实现吸波器谐振频率的动态可调的性能，可满足对太赫兹吸收方面应用的要求。
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公开(公告)号：CN111525272B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010262006.1
申请日：2020-04-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种三“飞镖”形石墨烯的宽带太赫兹吸波器。该吸波器由多个吸波单元组成，其主要结构包括底层的金属板(1)，二氧化硅介质层(2)，和三“飞镖”形石墨烯层(3)。通过多层石墨烯和介质层之间的相互作用形成一个对太赫兹波有良好吸收性能的宽带吸波器，并且可以在吸波器上施加电压改变石墨烯层的费米能级，实现吸收频率可调节。本发明具有极化不敏感，吸收效果好等优点，吸收效率在90％以上的带宽达到2.2THz左右，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111585040B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010318920.3
申请日：2020-04-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于石墨烯和狄拉克半金属的全介质吸波器。其特征是：它由石墨烯层(1)、介质层(2)(3)和狄拉克半金属(4)组成，所述石墨烯层(1)为单层石墨烯。本发明在太赫兹波段有两个吸收峰，可通过外部激励分别改变石墨烯层(1)和狄拉克半金属(4)的费米能级从而实现对这两个吸收频率的调节，可对频率在3.96THz‑9.75THz之间的电磁波高效吸收。本发明具有吸收效率高，可调节范围广，极化不敏感等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113219576A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110488592.6
申请日：2021-04-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于石墨烯‑金属裂环谐振器近场成像的方法。其特征是：它由底层和顶层周期性图案化的金属层1、中间的介质层3以及嵌在介质层3中的石墨烯层2构成。其中，底层和顶层的金属层采用金或银等导体，中间的介质层为聚酰亚胺。由于该结构在圆入射波下表现出平行和垂直于对称轴的对称和不对称模式，通过对不同圆偏振入射下的反射率和吸收率进行表征，该结构在1.181THz处获得最大的圆二色性，值为0.85。通过施加偏置电压改变石墨烯费米能级，该发明能实现动态太赫兹近场成像。本发明具有强反射、强吸收、偏振不敏感、结构简单、便于加工等优势，可应用于生物监测，显示成像，偏振转换和光电子偏振特性研究等方面应用。
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公开(公告)号：CN113204131A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110463063.0
申请日：2021-04-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供的是一种基于石墨烯‑金属裂环谐振器涡旋聚焦的方法。其特征是：它由底层和顶层周期性图案化的金属层1、中间的介质层3以及嵌在介质层3中的石墨烯层2构成。其中，底层和顶层的金属层采用金或银等导体，中间的介质层为聚酰亚胺。由于该结构在圆入射波下表现出平行和垂直于对称轴的对称和不对称模式，通过对不同圆偏振入射下的反射率和吸收率进行表征，该结构在1.181THz处获得最大的圆二色性，值为0.85。通过施加偏置电压改变石墨烯费米能级，该发明能实现动态太赫兹近场成像。本发明具有强反射、强吸收、偏振不敏感、结构简单、便于加工等优势，可应用于显示成像，偏振转换和光电子偏振特性研究等方面应用。
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公开(公告)号：CN111585040A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010318920.3
申请日：2020-04-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于石墨烯和狄拉克半金属的全介质吸波器。其特征是：它由石墨烯层(1)、介质层(2)(3)和狄拉克半金属(4)组成，所述石墨烯层(1)为单层石墨烯。本发明在太赫兹波段有两个吸收峰，可通过外部激励分别改变石墨烯层(1)和狄拉克半金属(4)的费米能级从而实现对这两个吸收频率的调节，可对频率在3.96THz-9.75THz之间的电磁波高效吸收。本发明具有吸收效率高，可调节范围广，极化不敏感等优点。
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公开(公告)号：CN111446551A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010218738.0
申请日：2020-03-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯超表面的多频带可调太赫兹吸波器。该吸波器从下到上依次为第一层金属、第二层电介质和顶部第三层周期性图案化的单层石墨烯。其中金属层采用金，中间介质层为二氧化硅。三层材料之间的相互作用形成一个对太赫兹波具有近乎完美吸收效果的多频带吸波器。该吸波器具有强吸收、偏振不敏感、结构简单、便于加工等优势，由于石墨烯的费米能级可调性，可以实现吸波器谐振频率的动态可调的性能，可满足对太赫兹吸收方面应用的要求。
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公开(公告)号：CN113300118A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110617346.6
申请日：2021-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种实现电磁诱导透明和完美吸收的双功能器件。该器件在x、y方向上呈的阵列结构，其基本单元结构特征是：由二氧化钒1、二氧化硅2、石墨烯开口环3和石墨烯条带4组成。当二氧化钒电导率较小表现为绝缘体时，该结构可实现电磁诱导透明效果，调节石墨烯的费米能级和二氧化钒的电导率实现对透明窗口和群时延的调节、调制功能；增加二氧化钒电导率表现为金属性时，该结构可实现双频带完美吸收功能，吸收峰可通过控制石墨烯的费米能级来调谐。本发明可用于集成光学设备中的调制器、慢光器件、光开关和完美吸收器等。
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