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公开(公告)号：CN110923646A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911189950.2
申请日：2019-11-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种复合型碳薄膜及其制备方法和应用。所述复合型碳薄膜的制备方法包括如下步骤有：将碳靶材和能量密度贡献主体元素靶材在真空条件下进行磁控溅射处理，在基体上生长复合型碳薄膜层。本发明复合型碳薄膜的制备方法一方面赋予制备的复合型薄膜的比表面积增大，可以保护活性物质，防止其聚集和破裂；另一方面能稳定碳与活性物质电子传输，又可以减少和阻止电解液与能量密度贡献主体之间的不可逆副反应，减少固体电解质膜(SEI)的产生；另外，形成的碳硅复合型薄膜不仅可以防止电解质的进入和进一步与纳米级氧化物接触，还可以减轻锂化过程氧化物上的应变；其次，其条件易控，有效保证生长的复合型碳薄膜化学性能稳定，效率高。
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