公开(公告)号：CN102680500B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201210174938.6

申请日：2012-05-30

申请人： 武汉大学

发明人： 庞锦标 ,  王柱 ,  田丰收 ,  周凯 ,  刘亮亮

IPC分类号： G01N23/06

摘要： 本发明涉及一个正电子平均寿命分解方法，包括以下步骤：先设定所研究材料体中的缺陷类型以及个数，根据待处理的正电子平均寿命值的大小以及对应的测量温度绘图，然后采用理论上计算所得到的正电子平均寿命的温度关系，构建简化的正电子平均寿命模型函数，再设定约束条件、通过最小二乘法原理，对实验测量的正电子平均寿命进行拟合，并输出结果。本发明不仅可以分解多个相关联缺陷的寿命谱，而且还可以得到缺陷的正电子捕获率、浓度等等物理量，对复杂缺陷体系的研究具有重要实用价值，同时本发明所提供的技术方案还具有良好的扩展性。

公开(公告)号：CN102680500A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210174938.6

申请日：2012-05-30

申请人： 武汉大学

发明人： 庞锦标 ,  王柱 ,  田丰收 ,  周凯 ,  刘亮亮

IPC分类号： G01N23/06

摘要： 本发明涉及一个正电子平均寿命分解方法，包括以下步骤：先设定所研究材料体中的缺陷类型以及个数，根据待处理的正电子平均寿命值的大小以及对应的测量温度绘图，然后采用理论上计算所得到的正电子平均寿命的温度关系，构建简化的正电子平均寿命模型函数，再设定约束条件、通过最小二乘法原理，对实验测量的正电子平均寿命进行拟合，并输出结果。本发明不仅可以分解多个相关联缺陷的寿命谱，而且还可以得到缺陷的正电子捕获率、浓度等等物理量，对复杂缺陷体系的研究具有重要实用价值，同时本发明所提供的技术方案还具有良好的扩展性。