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公开(公告)号：CN119486289A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411332646.X
申请日：2024-09-24
Applicant: 武汉大学
IPC: H10F30/282 , H10F71/00
Abstract: 本申请公开了一种光电突触器件的制备方法及光电突触器件，属于半导体技术领域。所述光电突触器件的制备方法包括：提供栅极以及位于所述栅极一侧的栅极氧化层；在所述栅极氧化层背离所述栅极的一侧形成沟道层；在所述沟道层背离所述栅极氧化层的一侧形成源漏极，且所述源漏极与所述沟道层连接；在高温环境下，对所述沟道层进行预设时长的路易斯酸掺杂，以在所述沟道层的能带结构中引入陷阱中心。本申请能够实现对光电突触功能的模拟，且模拟时具有极低的操作电压、较弱的光脉冲强度以及极低的功耗。
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