公开(公告)号：CN107528214A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710667972.X

申请日：2017-08-07

申请人： 武汉大学深圳研究院

发明人： 祁昶 ,  石新智 ,  叶双莉 ,  艾勇

IPC分类号： H01S5/20 ,  H01S5/30 ,  H01S5/40

摘要： 本发明一种太赫兹量子级联激光器金属波导结构的制备方法及激光器，包括以下步骤：在半绝缘GaAs衬底上用分子束外延法依次生长刻蚀停止层、下接触层、多量子阱有源区、上接触层、n型重掺杂层和利用低温生长钝化层；形成非合金欧姆接触；在接收体衬底基片上依次沉积电接触增强金属层、金属In层和金属Au层；将器件基片与接收体基片进行倒装键合，沉积SiO2保护层，涂光刻胶、烤干；剥离光刻胶；去除SiO2保护层；形成肖特基二极管接触上电极金属层；形成下电极金属层；倒装键合基片解理、进行封装。本发明效降低了接触阻抗而且避免了太赫兹光电器件由于非控制掺杂分布的扩散造成的自由载流子的大量泄漏，有效减少退火工艺带来的波导损耗。

公开(公告)号：CN107528214B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201710667972.X

申请日：2017-08-07

申请人： 武汉大学深圳研究院

发明人： 祁昶 ,  石新智 ,  叶双莉 ,  艾勇

IPC分类号： H01S5/20 ,  H01S5/30 ,  H01S5/40

摘要： 本发明一种太赫兹量子级联激光器金属波导结构的制备方法及激光器，包括以下步骤：在半绝缘GaAs衬底上用分子束外延法依次生长刻蚀停止层、下接触层、多量子阱有源区、上接触层、n型重掺杂层和利用低温生长钝化层；形成非合金欧姆接触；在接收体衬底基片上依次沉积电接触增强金属层、金属In层和金属Au层；将器件基片与接收体基片进行倒装键合，沉积SiO2保护层，涂光刻胶、烤干；剥离光刻胶；去除SiO2保护层；形成肖特基二极管接触上电极金属层；形成下电极金属层；倒装键合基片解理、进行封装。本发明效降低了接触阻抗而且避免了太赫兹光电器件由于非控制掺杂分布的扩散造成的自由载流子的大量泄漏，有效减少退火工艺带来的波导损耗。

公开(公告)号：CN204316198U

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201520009019.2

申请日：2015-01-07

申请人： 武汉大学深圳研究院

发明人： 石新智 ,  叶双莉 ,  祁昶 ,  石振华

IPC分类号： H02J17/00

摘要： 本实用新型提供一种基于磁共振的无线能量发射装置，包括能量产生模块、匹配电路模块和磁共振发射模块，能量产生模块与匹配电路模块连接，匹配电路模块与磁共振发射模块连接；能量产生模块包括编码信号输入电路、正反馈电路、振荡偏压输入电路、振荡输出电路和电源电路，编码信号输入电路与所述正反馈电路连接，振荡偏压输入电路一端与所述正反馈电路连接，另一端连接所述振荡输出电路，另外，电源电路对整个能量产生模块进行供电；所述装置的无线信号的频率可以根据需要进行调整，且增加匹配电路可以使电路方便地达到最佳匹配，同时，所述电路采用磁共振方式，提高了无线能量的发射效率。