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公开(公告)号:CN118344153A
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202410372418.9
申请日:2024-03-29
申请人: 武汉工程大学 , 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
IPC分类号: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B38/06
摘要: 本发明提供了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法和应用,属于无机非金属材料技术领域。采用粒径不同的粗细β‑SiC粉体进行级配设计并加入一定量的硅粉、分散剂、粘结剂和乙醇水溶液,混合制成生料,然后将生料烘干、压片、排胶、烧结得到碳化硅多孔陶瓷成品。其不仅具有优良的力学性能(抗弯曲强度>57.6MPa),孔隙率高(孔隙率>45%),孔径可控(平均孔径在3~6μm),且孔径分布均匀,有效地保证了其品质与质量。本发明提供的制备方法降低了烧结温度,实现了碳化硅多孔陶瓷的孔径可控,降低了碳化硅多孔陶瓷的烧成温度,最终降低了碳化硅多孔陶瓷的成本。