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公开(公告)号：CN116618821A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210535428.0
申请日：2022-05-17
申请人： 武汉帝尔激光科技股份有限公司 , 帝尔激光科技(无锡)有限公司
IPC分类号： B23K26/00 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本申请提供一种利用激光束对膜改性及实现图形化的方法及其应用，包括采用激光束照射硅衬底表面的膜层，对其进行图形化改性处理，使其加工区与非加工区形成腐蚀速率差。对硅衬底表面改性后的膜层进行腐蚀处理，激光加工区域因膜层改性，腐蚀速率会比非加工区域更快，非加工区作为腐蚀的阻挡层，进而形成图形化结构；或，加工区腐蚀速率变慢，加工区作腐蚀阻挡层，进而形成图形化结构。通过激光进行微加工处理，改变膜层的性状，破坏局部晶体点阵，形成更多的缺陷等，使加工区域变为易腐蚀区或难腐区，从而达到腐蚀的效果。
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公开(公告)号：CN116618821B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202210535428.0
申请日：2022-05-17
申请人： 武汉帝尔激光科技股份有限公司 , 帝尔激光科技(无锡)有限公司
IPC分类号： B23K26/00 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本申请提供一种利用激光束对膜改性及实现图形化的方法及其应用，包括采用激光束照射硅衬底表面的膜层，对其进行图形化改性处理，使其加工区与非加工区形成腐蚀速率差。对硅衬底表面改性后的膜层进行腐蚀处理，激光加工区域因膜层改性，腐蚀速率会比非加工区域更快，非加工区作为腐蚀的阻挡层，进而形成图形化结构；或，加工区腐蚀速率变慢，加工区作腐蚀阻挡层，进而形成图形化结构。通过激光进行微加工处理，改变膜层的性状，破坏局部晶体点阵，形成更多的缺陷等，使加工区域变为易腐蚀区或难腐区，从而达到腐蚀的效果。
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公开(公告)号：CN118682294A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310282106.4
申请日：2023-03-22
申请人： 帝尔激光科技(无锡)有限公司
IPC分类号： B23K26/362 , B23K26/70
摘要： 本发明公开了一种利用分光光斑的激光刻蚀方法，采用多个分光形式的脉冲激光沿着扫描路径对刻蚀对象进行刻蚀，每个所述分光形式的脉冲激光由脉冲激光通过分束器后得到的若干个分光光斑组成；且激光刻蚀过程中，控制每次后一个分光形式的脉冲激光在前一个分光形式的脉冲激光的基础上沿所述扫描路径移动一个相对偏移量d，形成重叠的刻蚀效果。本发明规避了前一脉冲激光刻蚀时产生的生成物对下一个脉冲激光的干扰，使得刻蚀效果显著改善，刻蚀效果更均匀；同时极大的增加了加工效率。
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公开(公告)号：CN115884643A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111135534.1
申请日：2021-09-27
申请人： 帝尔激光科技(无锡)有限公司
摘要： 本发明提供一种薄膜电池清边绝缘方法，在薄膜电池片制备好电极之后、利用第一激光进行清边绝缘之前，增加划线步骤；划线步骤具体为：在需要清边绝缘区域与电池有效区域的交界处，进行划线，形成待清边绝缘区域与电池有效区域的隔离带，隔离带的深度与清边绝缘的深度一致；清边绝缘具体为：利用第一激光在待清边绝缘区域进行扫描，使得第一激光的光斑的热影响区域与隔离带的全部或部分重叠而不超过隔离带。本发明通过在传统激光清边绝缘步骤之前，进行划线形成隔离带的方式，减少或解决了激光清边造成的表面严重凸起和表面电极剥离问题，提高电池的转换效率和稳定性，并优化其外观。
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