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公开(公告)号：CN111599348A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010375884.4
申请日：2020-05-07
Applicant: 武汉数字化设计与制造创新中心有限公司 , 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明公开了一种机床加工过程监测信号的自动分段方法，根据机床加工过程监测信号的采样率、预定帧长和预定帧移，对采样信号进行分帧，形成n×m的信号帧矩阵，计算信号帧矩阵各行信号帧的短时能量，基于信号帧短时能量计算短时能量斜率和确定分段阈值，进而进行采样信号的初步分段，获得初步分段的端点，最后采用K-means聚类方法，对初步分段获得的端点进行优化聚合，完成采样信号的自动分段。本发明的方法实现对长时序信号基于对应加工工序的自动分段。
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公开(公告)号：CN111599348B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010375884.4
申请日：2020-05-07
Applicant: 武汉数字化设计与制造创新中心有限公司 , 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明公开了一种机床加工过程监测信号的自动分段方法，根据机床加工过程监测信号的采样率、预定帧长和预定帧移，对采样信号进行分帧，形成n×m的信号帧矩阵，计算信号帧矩阵各行信号帧的短时能量，基于信号帧短时能量计算短时能量斜率和确定分段阈值，进而进行采样信号的初步分段，获得初步分段的端点，最后采用K‑means聚类方法，对初步分段获得的端点进行优化聚合，完成采样信号的自动分段。本发明的方法实现对长时序信号基于对应加工工序的自动分段。
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公开(公告)号：CN112528955A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011568332.1
申请日：2020-12-25
Applicant: 华中科技大学 , 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明提供了一种高频元件加工尺寸的精度预测方法及系统，属于高频元件加工质量的预测技术领域；精度预测方法包括：将加工参数和切削力的特征值输入至精度预测神经网络，获取高频元件的质量等级；训练精度预测神经网络的方法为：按照不同的尺寸精度值，将高频元件划分为不同的质量等级；将切削力数据按照不同的加工特征分段，采用特征提取方法计算切削力的特征值；将加工参数和切削力的特征值归一化预处理，作为数据样本集；训练精度预测神经网络，获取精度预测神经网络；其中，精度预测神经网络为RBF神经网络模型与DNN神经网络模型的结合。本发明采用精度预测神经网络可以更为便捷，更为准确地获取加工尺寸的预测精度。
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公开(公告)号：CN112528955B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011568332.1
申请日：2020-12-25
Applicant: 华中科技大学 , 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明提供了一种高频元件加工尺寸的精度预测方法及系统，属于高频元件加工质量的预测技术领域；精度预测方法包括：将加工参数和切削力的特征值输入至精度预测神经网络，获取高频元件的质量等级；训练精度预测神经网络的方法为：按照不同的尺寸精度值，将高频元件划分为不同的质量等级；将切削力数据按照不同的加工特征分段，采用特征提取方法计算切削力的特征值；将加工参数和切削力的特征值归一化预处理，作为数据样本集；训练精度预测神经网络，获取精度预测神经网络；其中，精度预测神经网络为RBF神经网络模型与DNN神经网络模型的结合。本发明采用精度预测神经网络可以更为便捷，更为准确地获取加工尺寸的预测精度。
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公开(公告)号：CN110449645A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910683822.7
申请日：2019-07-26
Applicant: 武汉数字化设计与制造创新中心有限公司
IPC: B23C1/16
Abstract: 本发明公开了一种提高FIBM三维微结构面形精度的方法，通过建立精确的FIBM仿真模型，利用原始设计的灰度图进行仿真加工，计算每仿真轮次的轮廓误差，当轮廓误差达到预设值时，停止仿真，记录此时的轮廓误差及相应的仿真加工轮次，并将该仿真加工轮次作为输入的灰度图的加工轮次，如此反复，获得多个轮廓误差修形灰度图及对应加工轮次，指导FIBM实际加工。本发明改善了传统FIBM灰度图加工存在的较大面形偏差的缺陷，实现FIBM灰度图高精度加工三维微结构，该方法适用于不同形状、不同尺度和不同材料的FIBM加工，在微纳加工领域具有极高的应用和推广价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118238015A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410215900.1
申请日：2024-02-27
Applicant: 武汉数字化设计与制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开中大口径光学元件的区域选择性抛光方法、介质、设备，涉及中大口径光学元件制造技术领域，方法包括：根据光学元件的面形误差分布，设置抛光阈值；误差大于阈值的误差点构成的区域为目标区域，其余误差点构成非目标区域；在光学元件坐标系中的XY平面构造正六边形集合，内部有部分目标区域的正六边形构成驻留区间，所有驻留区间的正六边形的顶点和中心点是抛光驻留点，将在XY平面上得到的驻留点投影到光学曲面表面；求解驻留时间；以伪随机轨迹将所有驻留点单行依次连接，得到抛光轨迹；由驻留时间和抛光轨迹计算进给速度，并转化为数控抛光程序。本发明的方法可以提高中大口径光学元件的抛光效率。
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公开(公告)号：CN110449645B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910683822.7
申请日：2019-07-26
Applicant: 武汉数字化设计与制造创新中心有限公司
IPC: G05B19/404
Abstract: 本发明公开了一种提高FIBM三维微结构面形精度的方法，通过建立精确的FIBM仿真模型，利用原始设计的灰度图进行仿真加工，计算每仿真轮次的轮廓误差，当轮廓误差达到预设值时，停止仿真，记录此时的轮廓误差及相应的仿真加工轮次，并将该仿真加工轮次作为输入的灰度图的加工轮次，如此反复，获得多个轮廓误差修形灰度图及对应加工轮次，指导FIBM实际加工。本发明改善了传统FIBM灰度图加工存在的较大面形偏差的缺陷，实现FIBM灰度图高精度加工三维微结构，该方法适用于不同形状、不同尺度和不同材料的FIBM加工，在微纳加工领域具有极高的应用和推广价值。
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公开(公告)号：CN110781590A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910993627.4
申请日：2019-10-18
Applicant: 武汉数字化设计与制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于FIBM加工三维微结构的灰度图生成方法，先利用三维微结构设计图生成原始灰度图并建立FIBM灰度图加工的轮廓仿真模型，将原始灰度图输入仿真模型进行仿真加工，将仿真加工轮廓与设计轮廓对比得到轮廓误差，利用轮廓误差对用于仿真的灰度图进行修正得到新的灰度图，再用新的灰度图作为输入多次迭代优化，得到用于FIBM加工的最终灰度图。该发明的方法可以获得高效的FIBM加工灰度图，实现单张灰度图即可完成FIBM高精度加工三维微结构，在微纳加工领域具有极高的应用和推广价值。
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公开(公告)号：CN118092311A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410203164.8
申请日：2024-02-23
Applicant: 武汉数字化设计与制造创新中心有限公司
IPC: G05B19/404
Abstract: 本发明公开一种抛光轨迹优化方法、存储介质、电子设备，涉及抛光轨迹规划领域，方法包括：根据工件初始口径，在要抛光的工件区域设置螺旋线的间距、抛光轨迹点的间隔大小，生成初始螺旋抛光轨迹点；对所生成的初始螺旋形抛光轨迹点，利用随机函数控制最大偏移距离，在初始螺旋抛光轨迹点上引入随机径向补偿，生成复合抛光轨迹，对复合抛光轨迹的轨迹点进行均匀化，得到新的抛光轨迹点；对新的抛光轨迹点进行样条函数拟合，根据拟合轨迹判断是否存在轨迹之间的交叉点，若存在，重新引入随机径向补偿；直到拟合轨迹不存在轨迹之间的交叉点，得到拟合轨迹作为最终的抛光轨迹。本发明可以抑制中频误差，实现了材料去除的均匀性。
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公开(公告)号：CN110781590B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910993627.4
申请日：2019-10-18
Applicant: 武汉数字化设计与制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于FIBM加工三维微结构的灰度图生成方法，先利用三维微结构设计图生成原始灰度图并建立FIBM灰度图加工的轮廓仿真模型，将原始灰度图输入仿真模型进行仿真加工，将仿真加工轮廓与设计轮廓对比得到轮廓误差，利用轮廓误差对用于仿真的灰度图进行修正得到新的灰度图，再用新的灰度图作为输入多次迭代优化，得到用于FIBM加工的最终灰度图。该发明的方法可以获得高效的FIBM加工灰度图，实现单张灰度图即可完成FIBM高精度加工三维微结构，在微纳加工领域具有极高的应用和推广价值。
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