一种淬冷处理的热致变色二氧化钒薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN112250112A

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN202011130347.X

    申请日:2020-10-21

    IPC分类号: C01G31/02

    摘要: 本发明公开了一种淬冷处理的热致变色VO2薄膜制备方法,将五氧化二钒与碳酸氢铵原料分别盛装在不同的坩埚里置于管式炉中,抽真空至50Pa以下,高温退火还原处理,得到VO2粉体;将所得VO2粉体再次置于真空管式炉中保温处理,迅速取出转移至5℃的淬冷剂中,静置冷却后干燥,得淬冷处理的VO2粉体;所得淬冷处理的VO2粉体与聚乙烯吡咯烷酮于二氧化锆球磨罐中球磨;离心干燥得黑色VO2‑PVP复合粉体,与无水乙醇充分混合、搅拌均匀制得镀膜液,旋涂法制备VO2薄膜;本发明制备出的VO2薄膜,具有优异的热致变色性能,在保持较高可见光透过率的同时提升薄膜的红外光调制效率。

    一种基于调控ZIF-8薄膜暴露晶面比例的方法

    公开(公告)号:CN108892392A

    公开(公告)日:2018-11-27

    申请号:CN201810771292.7

    申请日:2018-07-13

    IPC分类号: C03C17/32 C08G83/00

    摘要: 本发明公开了一种基于调控ZIF-8薄膜暴露晶面比例的方法,包含如下步骤:a、将Zn(OAc)2·2H2O和2-甲基咪唑混合溶解于溶剂中配制ZIF-8溶胶;b、薄膜衬底的清洗;c、ZIF-8溶胶在衬底上旋涂成膜;d、旋涂成膜后的样品的热处理。本发明制备的ZIF-8薄膜因反应物(金属离子与咪唑配体)的摩尔比不同会呈现不同的暴露晶面比例从而吸附、分离和光催化等性能也会有所不同,可根据实际需要自由选取比例制备;且制备ZIF-8薄膜的操作方法简单,设备要求低,成本低,制备出来的ZIF-8薄膜的稳定性和重复性好。

    一种淬冷处理的热致变色二氧化钒薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN112250112B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202011130347.X

    申请日:2020-10-21

    IPC分类号: C01G31/02

    摘要: 本发明公开了一种淬冷处理的热致变色VO2薄膜制备方法,将五氧化二钒与碳酸氢铵原料分别盛装在不同的坩埚里置于管式炉中,抽真空至50Pa以下,高温退火还原处理,得到VO2粉体;将所得VO2粉体再次置于真空管式炉中保温处理,迅速取出转移至5℃的淬冷剂中,静置冷却后干燥,得淬冷处理的VO2粉体;所得淬冷处理的VO2粉体与聚乙烯吡咯烷酮于二氧化锆球磨罐中球磨;离心干燥得黑色VO2‑PVP复合粉体,与无水乙醇充分混合、搅拌均匀制得镀膜液,旋涂法制备VO2薄膜;本发明制备出的VO2薄膜,具有优异的热致变色性能,在保持较高可见光透过率的同时提升薄膜的红外光调制效率。

    一种基于调控ZIF-8薄膜暴露晶面比例的方法

    公开(公告)号:CN108892392B

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201810771292.7

    申请日:2018-07-13

    IPC分类号: C03C17/32 C08G83/00

    摘要: 本发明公开了一种基于调控ZIF‑8薄膜暴露晶面比例的方法,包含如下步骤:a、将Zn(OAc)2·2H2O和2‑甲基咪唑混合溶解于溶剂中配制ZIF‑8溶胶;b、薄膜衬底的清洗;c、ZIF‑8溶胶在衬底上旋涂成膜;d、旋涂成膜后的样品的热处理。本发明制备的ZIF‑8薄膜因反应物(金属离子与咪唑配体)的摩尔比不同会呈现不同的暴露晶面比例从而吸附、分离和光催化等性能也会有所不同,可根据实际需要自由选取比例制备;且制备ZIF‑8薄膜的操作方法简单,设备要求低,成本低,制备出来的ZIF‑8薄膜的稳定性和重复性好。