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公开(公告)号：CN104701030B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510130642.8
申请日：2015-03-24
Applicant: 武汉理工大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种用于芯片上驱动的全固态对称三维螺旋微型超级电容器及其制备方法，包括有带有氧化层的硅片作为基底，活性材料和固体电解质，其特征在于基底上具有对称结构的螺旋集流体，螺旋集流体上布置有由光刻胶制成的三维阵列柱。本发明的有益效果是：本发明中提出了另外一种提高超级电容器能量密度的思路，即通过构筑三维导电柱子阵列实现了快速充放电条件下的能量密度的提高。同时，由于螺旋设计的独特性，方便容易地实现了电极的集成化和串并联耦合。
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公开(公告)号：CN104766724B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201510100884.2
申请日：2015-03-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01G11/84
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明提供一种基于四氧化三钴纳米结构的微型电容器微制作工艺，包括掩模制作、紫外光刻、物理气相沉积、剥离浮脱、快速退火处理，利用光刻胶的感光性能，通过掩模制作、紫外光刻工艺、半导体加工工艺制作带有光刻胶微结构图案的样品，然后通过物理气相沉积、剥离浮脱、快速退火处理，制作基于四氧化三钴纳米结构的微型电容器。本发明提出了一种基于快速退火氧化的优化工艺以制作图案化的四氧化三钴纳米线微结构，该工艺融合利用了半导体领域的相关技术和微纳米结构合成的方法，工艺简洁、相关技术成熟，可应用于大规模生产，所得到的四氧化三钴纳米线微结构有着较高的化学稳定性和较好的电化学性能。
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公开(公告)号：CN103474629B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310434930.3
申请日：2013-09-23
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及半中空双连续H2V3O8/石墨烯管中线结构同轴纳米线材料及其制备方法，由石墨烯自卷曲包覆H2V3O8纳米线形成，石墨烯自卷曲形成的石墨烯卷与H2V3O8纳米线之间存在间隙，其中H2V3O8纳米线直径为20-80nm。该纳米材料可作为锂离子电池正极活性材料。本发明具有工艺简单、成本低等优点，由电极材料组装的电池具有循环稳定性好、在大电流下电化学性能优异等特点。
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公开(公告)号：CN104637702A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510052384.6
申请日：2015-01-30
Applicant: 武汉理工大学
Inventor： 麦立强 , 赫库尔·穆隆达·卡乐乐 , 杜春晖 , 魏湫龙 , 晏梦雨
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G11/86 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01G11/24 , H01G11/26 , H01G11/30
Abstract: 本发明涉及一种纳米棒-纳米片相互连接的Li2Co2(MoO4)3材料及其制备方法，该材料可作为超级电容器活性材料，其以生长在基底上的Li2Co2(MoO4)3纳米棒为骨架，通过Li2Co2(MoO4)3纳米片相互连接而形成的三维结构，本发明的有益效果是：1)本发明具有良好的循环可逆性；纳米棒的一维结构具有良好的轴向电子传输性能，有利于大功率充放电；连接纳米棒的纳米片增大了电极和电解液的接触面积，提供了更多的反应位点；2)本发明采用的是简单的水热法，热处理法结合的方法，并且制备得到的材料纯度非常高、均一性非常好；3)本发明工艺简单。
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公开(公告)号：CN103227317A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310099377.2
申请日：2013-03-26
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及V2O5量子点/石墨烯复合材料及其制备方法，包括有以下步骤：1）取V2O5溶胶并稀释于去离子水中得到V2O5溶液，量取苯胺溶液滴入V2O5溶液中，搅拌；2）向步骤1）所得溶液中按比例加入石墨烯分散液，并加入去离子水，在室温下搅拌；3）将步骤2）所得的均一溶液转进行恒温水浴加热处理；4）将步骤3）处理后的溶液进行水热反应，自然冷却到室温；5）用无水乙醇反复洗涤步骤4）所得产物，烘干即得。本发明的有益效果是：本发明采用水浴-水热两步法，液相合成制备V2O5量子点/石墨烯复合材料，其纯度高，分散性好。其作为锂离子电池正极材料活性物质，表现出比较好的循环稳定性和较高的可逆容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106555207B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201611022130.0
申请日：2016-11-16
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种场效应电催化产氢器件的制备方法，将至少一层二硒化钒纳米薄片分散到带有氧化层的硅基板上，其中纳米薄片作为沟道材料，氧化层作为介电层，在沟道材料的两端制作金属微电极；旋涂一层绝缘层，并在两金属微电极之间刻蚀出矩形窗口；在硅基板空白一侧除去氧化层，制作背栅电极的接触点，在器件表面注入电解液获得场效应电催化产氢器件。本发明的有益效果是：可以作为优化纳米材料电催化性能的新策略。
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公开(公告)号：CN104730125B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510124260.4
申请日：2015-03-20
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种原位分析Li+离子或Na+离子在纳米线中充放电输运机制的方法，包括如下步骤：1)将纳米线正极与纳米线负极或纳米薄膜负极分散在基底上；2)在纳米线正极上制作多触点金属电极集流体，并在纳米线负极或纳米薄膜负极两端制作金属电极集流体；3)在金属电极集流体上制作保护层；4)将纳米线正极用保护层覆盖住仅留一端暴露或纳米线完全暴露作为电极模型；5)封装器件，并向其中注入有机液体电解液即完成多集流体单根纳米线电化学器件的组装，然后对其进行性能测试及表征。本发明的有益效果是：为纳米线电化学器件材料的结构、电输运与电化学性能相关性研究、电池诊断等提供了一种平台。
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公开(公告)号：CN106521549A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611030303.3
申请日：2016-11-16
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于MoS2纳米薄片的场效应电催化产氢器件的制备方法，包括有以下步骤：将至少一层二硫化钼纳米薄片分散到带有氧化层的硅基板上，其中纳米薄片作为沟道材料，氧化层作为介电层，在沟道材料的两端制作金属源极和漏极；旋涂绝缘层，使之覆盖住金属源极和漏极；在金属源极和漏极之间刻蚀出凹槽；在硅基板空白一侧除去氧化层，制作背栅电极的接触点，在器件表面注入电解液获得场效应电催化产氢器件。本发明的有益效果是：可代替铂类贵金属在催化制氢领域的应用，工艺简单，减少了生产成本，同时也为提高其他半导体材料的催化性能提供了指导策略，有益于未来相关方面的研究。
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公开(公告)号：CN104730125A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510124260.4
申请日：2015-03-20
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种原位分析Li+离子或Na+离子在纳米线中充放电输运机制的方法，包括如下步骤：1)将纳米线正极与纳米线负极或纳米薄膜负极分散在基底上；2)在纳米线正极上制作多触点金属电极集流体，并在纳米线负极或纳米薄膜负极两端制作金属电极集流体；3)在金属电极集流体上制作保护层；4)将纳米线正极用保护层覆盖住仅留一端暴露或纳米线完全暴露作为电极模型；5)封装器件，并向其中注入有机液体电解液即完成多集流体单根纳米线电化学器件的组装，然后对其进行性能测试及表征。本发明的有益效果是：为纳米线电化学器件材料的结构、电输运与电化学性能相关性研究、电池诊断等提供了一种平台。
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公开(公告)号：CN104701030A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510130642.8
申请日：2015-03-24
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种用于芯片上驱动的全固态对称三维螺旋微型超级电容器及其制备方法，包括有带有氧化层的硅片作为基底，活性材料和固体电解质，其特征在于基底上具有对称结构的螺旋集流体，螺旋集流体上布置有由光刻胶制成的三维阵列柱。本发明的有益效果是：本发明中提出了另外一种提高超级电容器能量密度的思路，即通过构筑三维导电柱子阵列实现了快速充放电条件下的能量密度的提高。同时，由于螺旋设计的独特性，方便容易地实现了电极的集成化和串并联耦合。
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