公开(公告)号：CN107268061B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201710327503.3

申请日：2017-05-08

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 赵春霞 ,  徐周 ,  邵林清 ,  陈文 ,  金伟

IPC: C25D11/26 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/00 ,  G01N33/00

Abstract: 本发明公开了种锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜及气敏元件以及其制备方法。本发明是以阳极氧化法原位制备锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜,通过热处理结合阳极氧化将其剥离,并转移至陶瓷管上制作成气敏元件。本发明制备过程简单、成本较低、工艺参数便于控制,制备的锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜结构规整,纳米管尺寸均,光学带隙降低,气敏性能显著提升。

公开(公告)号：CN107268061A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710327503.3

申请日：2017-05-08

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 赵春霞 ,  徐周 ,  邵林清 ,  陈文 ,  金伟

IPC: C25D11/26 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/00 ,  G01N33/00

Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜及气敏元件以及其制备方法。本发明是以阳极氧化法原位制备锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜，通过热处理结合阳极氧化将其剥离，并转移至陶瓷管上制作成气敏元件。本发明制备过程简单、成本较低、工艺参数便于控制，制备的锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜结构规整，纳米管尺寸均一，光学带隙降低，气敏性能显著提升。