专利检索 ap:("武汉理工大学三亚科教创新园") AND inv:"张扬" 第 1 页

1.

发明公开
一种环氧树脂填充碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼的电子元器件封装材料制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118599265A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410807939.2

申请日：2024-06-21

申请人： 武汉理工大学三亚科教创新园

发明人： 耿浩然 , 张扬

IPC分类号： C08L63/00 , C08K7/24 , C08K3/30

摘要： 本发明公开了一种环氧树脂填充碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼的电子元器件封装材料制备方法，属于新材料技术领域。本发明的环氧树脂填充碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼材料中包含95wt％的环氧树脂和5wt％的碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼吸波剂；所述碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼吸波剂的制备方法包括以下步骤：对三聚氰胺泡沫进行碳化处理得到碳化三聚氰胺泡沫，然后与钼源硫源前驱体溶液混合，反应，得到所述碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼吸波剂。在碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼中，具有三维网络结构的碳化三聚氰胺泡沫为声子和电子传输提供了理想通路。1T/2H‑二硫化钼原位生长在碳化三聚氰胺泡沫表面，导致电磁波的直接反射减少并有效改善了不良阻抗。