Patent search ap:("武汉科技大学") AND inv:"刘宵" Page 1

1.

发明公开
一种磁性隧道结、制备方法及其应用审中-实审

公开(公告)号：CN116615088A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310660242.2

申请日：2023-06-06

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 朱思聪 , 刘斌 , 刘胜 , 王通通 , 于国荣 , 刘宵

IPC: H10N50/10 , H10N50/85 , H10N50/01

Abstract: 本发明公开了一种磁性隧道结、制备方法及其应用，该磁性隧道结包括：中心散射区以及与中心散射区直接连接的左电极区和右电极区；中心散射区的材料为碲烯；左电极区和右电极区为过渡金属掺杂的碲烯；左电极区和右电极区处于相同的应力场下。本发明中的磁性隧道结设计简单且磁阻比和电流传输效率高。

Patent Agency Ranking