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发明公开
一种MoS2电极及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN116779337A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310710116.3

申请日：2023-06-14

申请人： 武汉科技大学

发明人： 王清淼 , 王天辰 , 桂晓彤 , 王黎 , 冯涛 , 胡宁 , 王钰

IPC分类号： H01G9/042 , C23C18/12 , H01G9/00

摘要： 本发明提供了一种MoS2电极及其制备方法和应用。本发明采用质地轻、导电性优良、柔韧性好、机械强度高，且耐高温、耐腐蚀的不锈钢金属网作为基底材料，在该基底上原位生长类云耳形态的MoS2纳米材料，得到一种新型的无粘结剂、云耳状MoS2电极。在电极的制备方法上，舍去传统添加粘结剂的涂覆制备法，采用不添加粘结剂的原位生长法，在MoS2原位生长过程中产生了类云耳状的形态，大量纳米片的堆叠形成弯曲褶皱从而使得基底表面具有更大的比表面积和更多的活性反应位点，同时避免了繁琐的电极制作工艺和聚合物粘结剂的使用，进而显著提高了电极材料的电化学性能。