-
公开(公告)号：CN112433295B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011248773.3
申请日：2020-11-10
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种超宽带分合束器，包括：衬底以及依次叠置在衬底上的第一波导层和第二波导层；第一波导层的上表面与第二波导层的下表面直接接触；第二波导层包括进行光信号耦合的输入耦合渐变波导区和输出耦合渐变波导区；输入耦合渐变波导区包括若干第一矩形单元，其沿着光传输的方向分立排列以构成第一光栅结构；输出耦合渐变波导区包括若干第二矩形单元，其沿着光传输的方向分立排列以构成第二光栅结构；输入耦合渐变波导区在垂直于衬底的方向上的第一投影、输出耦合渐变波导区在垂直于衬底的方向上的第二投影以及第一波导层在垂直于衬底的方向上的第三投影满足以下关系：第一投影和第二投影完全落入第三投影的范围内。
-
公开(公告)号：CN109375389B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201811549302.9
申请日：2018-12-18
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种石墨烯电光调制器及其制备方法，涉及电光调制器领域，其包括衬底以及形成于衬底上的马赫泽德干涉仪结构；所述马赫泽德干涉仪结构包括石墨烯垂直混合等离子光波导；所述石墨烯垂直混合等离子光波导包括：第一高折射率材料层、第二高折射率材料层、第二金属电极材料层、第一低折射率材料层、第二低折射率材料层、第二石墨烯材料层、绝缘材料层、第一石墨烯材料层以及第三石墨烯材料层。该调制器可实现高调节效率和带宽。
-
公开(公告)号：CN109407349B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201811526548.4
申请日：2018-12-13
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种片上集成改变石墨烯能带的结构及其制备方法，涉及片上集成光电子器件领域，该结构包括衬底，其宽度、长度和高度方向分别定义为第I方向、第II方向和第III方向；形成于衬底表面上的高折射率光波导层以及未被高折射率光波导层覆盖的衬底表面上的第一低折射率材料层；形成于高折射率光波导层与第一低折射率材料层表面上的第一氮化硼材料层；形成于第一氮化硼材料层表面上的石墨烯材料层；形成于石墨烯材料层表面上的第二氮化硼材料层；形成于第二氮化硼材料层表面上的第二低折射率材料层；形成于第二低折射率材料层表面上的金属热电极；以及光输入端和光输出端。本发明提供的片上集成改变石墨烯能带的结构的制备方法简单、成本较低。
-
公开(公告)号：CN112394447A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011248785.6
申请日：2020-11-10
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种超宽带分合束器，包括：衬底以及依次叠置在所述衬底上的第一波导层和第二波导层；其中，所述第一波导层的上表面与所述第二波导层的下表面直接接触；所述第二波导层包括进行光信号耦合的输入渐变波导区和输出渐变波导区；所述输入渐变波导区在垂直于所述衬底的方向上的第一投影、所述输出渐变波导区在垂直于所述衬底的方向上的第二投影以及所述第一波导层在垂直于所述衬底的方向上的第三投影满足以下关系：所述第一投影和所述第二投影完全落入所述第三投影的范围内。
-
公开(公告)号：CN109491011B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201811543364.9
申请日：2018-12-17
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种波导光有源增益的实现方法、波导及光器件，涉及光通信器件技术领域。波导位于光子芯片上或者晶圆上，实现方法包括：在波导的指定区段上方制备窗口，使得指定区段暴露在光子芯片或者晶圆的表面上；对指定区段进行离子掺杂。本发明对波导的指定区段进行离子掺杂，与光子芯片或者晶圆的制造工艺兼容性好，易于实现，制作成本低，可以实现晶圆级大规模制造。
-
公开(公告)号：CN110989215A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911344423.4
申请日：2019-12-23
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种差分铌酸锂调制器，涉及光通信器件技术领域，从下往上依次包括基底层、衬底层、集成波导层和覆盖层，集成波导层包括铌酸锂波导层和两个间隔分布的高折射率层，高折射率层位于铌酸锂波导层和覆盖层之间；同时，调制器还包括第一电极组、两个相对设置的第二电极组，第一电极组位于衬底层内，两个第二电极组位于集成波导层上方；第一电极组从下往上依次包括直接接触的第一金属电极和第一导电层；第二电极组从下往上依次包括直接接触的第二导电层和第二金属电极。本发明提供的差分铌酸锂调制器，具有抗干扰能力强、结构尺寸小、调节效率高等优点。
-
公开(公告)号：CN109659805A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811511012.5
申请日：2018-12-11
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种可调谐激光器，涉及光通信器件领域。该可调谐激光器包括：硅衬底，其长度、宽度和高度方向分别定义为第I方向、第II方向和第III方向；以及形成于硅衬底上的光输入端口、第一光波导、光子晶体腔、第二光波导、光分束器、光发射端口、光输出端口以及光增益组件；光输入端口与光输出端口通过光纤链路连接形成环路，且光增益组件设于环路上；该可调谐激光器在光子晶体腔沿第II方向的两侧上分别设有电极或者在光子晶体腔沿第III方向的上方设有电极。本发明提供的可调谐激光器的调节效率高、调谐范围大、输出波长稳定，同时其结构尺寸小，有利于大规模集成。
-
公开(公告)号：CN109407349A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811526548.4
申请日：2018-12-13
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种片上集成改变石墨烯能带的结构及其制备方法，涉及片上集成光电子器件领域，该结构包括衬底，其宽度、长度和高度方向分别定义为第I方向、第II方向和第III方向；形成于衬底表面上的高折射率光波导层以及未被高折射率光波导层覆盖的衬底表面上的第一低折射率材料层；形成于高折射率光波导层与第一低折射率材料层表面上的第一氮化硼材料层；形成于第一氮化硼材料层表面上的石墨烯材料层；形成于石墨烯材料层表面上的第二氮化硼材料层；形成于第二氮化硼材料层表面上的第二低折射率材料层；形成于第二低折射率材料层表面上的金属热电极；以及光输入端和光输出端。本发明提供的片上集成改变石墨烯能带的结构的制备方法简单、成本较低。
-
公开(公告)号：CN109375389A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811549302.9
申请日：2018-12-18
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种石墨烯电光调制器及其制备方法，涉及电光调制器领域，其包括衬底以及形成于衬底上的马赫泽德干涉仪结构；所述马赫泽德干涉仪结构包括石墨烯垂直混合等离子光波导；所述石墨烯垂直混合等离子光波导包括：第一高折射率材料层、第二高折射率材料层、第二金属电极材料层、第一低折射率材料层、第二低折射率材料层、第二石墨烯材料层、绝缘材料层、第一石墨烯材料层以及第三石墨烯材料层。该调制器可实现高调节效率和带宽。
-
公开(公告)号：CN109361149A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811458780.9
申请日：2018-11-30
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅基可调谐激光器，涉及硅基光子学与集成光电子学领域，包括：集成在硅基平台的半导体放大器；模斑转换器，其与半导体放大器的输出端相连，模斑转换器包括双倒锥波导；双倒锥波导分束器，其包括第一臂和第二臂，第一臂和第二臂的输入端分别与双倒锥波导相连；微环滤波器，其与第一臂级联，微环滤波器上设有加热器；以及分布式布拉格反射器DBR，用于实现光学反馈，形成于第一臂的输出波导上，DBR上设有加热器；本发明制作成本低、工艺简单、集成度高且利于大规模生产，并能提高波长调谐带宽与稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
77 条记录 (耗时 0.056 秒)
