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公开(公告)号：CN103359677A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210087021.2
申请日：2012-03-29
申请人： 比亚迪股份有限公司
摘要： 本发明提供一种红外探测器封装结构及其制作方法，所述方法包括在衬底的同一表面上形成红外光反射层和底接触电极，在所述红外光反射层和底接触电极上形成由探测器第一牺牲层释放后的第一空间层，在所述第一空间层上部分覆盖敏感材料探测层，在所述敏感材料探测层上形成金属电极层，在所述金属电极层的孔洞处设置与底接触电极接触的金属桥柱，在第一空间层、金属电极层和金属桥柱上形成由探测器第二牺牲层释放后的第二空间层，在所述第二空间层四周边缘形成吸气剂层，在吸气剂层和第二空间层上形成第一封装薄膜层，对探测器第一和第二牺牲层释放，在第一封装薄膜层上形成第二封装薄膜层。本发明封装方法能够降低生产成本。
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公开(公告)号：CN103359677B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210087021.2
申请日：2012-03-29
申请人： 比亚迪股份有限公司
摘要： 本发明提供一种红外探测器封装结构及其制作方法，所述方法包括在衬底的同一表面上形成红外光反射层和底接触电极，在所述红外光反射层和底接触电极上形成由探测器第一牺牲层释放后的第一空间层，在所述第一空间层上部分覆盖敏感材料探测层，在所述敏感材料探测层上形成金属电极层，在所述金属电极层的孔洞处设置与底接触电极接触的金属桥柱，在第一空间层、金属电极层和金属桥柱上形成由探测器第二牺牲层释放后的第二空间层，在所述第二空间层四周边缘形成吸气剂层，在吸气剂层和第二空间层上形成第一封装薄膜层，对探测器第一和第二牺牲层释放，在第一封装薄膜层上形成第二封装薄膜层。本发明封装方法能够降低生产成本。
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公开(公告)号：CN102238463B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201010169611.0
申请日：2010-04-30
申请人： 比亚迪股份有限公司
IPC分类号： H04R31/00
摘要： 本发明所提供的一种将硅麦克风器件与集成电路单片集成的方法，将硅麦克风器件和集成电路的制作交叉进行，先将硅麦克风器件的可动极板和固定极板以及制作于硅片的第一表面，之后再将相应的集成电路制作于硅片上相对于第一表面的第二表面，最后形成硅麦克风器件的声孔、空气隙、背腔结构，这样硅麦克风器件可动极板和固定极板制作过程中的高温工艺不会损害到集成电路，集成电路制作工艺又不会损害硅麦克风器件的机械结构，本发明还提供一种将硅麦克风器件与集成电路单片集成的芯片。
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公开(公告)号：CN102238463A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010169611.0
申请日：2010-04-30
申请人： 比亚迪股份有限公司
IPC分类号： H04R31/00
摘要： 本发明所提供的一种将硅麦克风器件与集成电路单片集成的方法，将硅麦克风器件和集成电路的制作交叉进行，先将硅麦克风器件的可动极板和固定极板以及制作于硅片的第一表面，之后再将相应的集成电路制作于硅片上相对于第一表面的第二表面，最后形成硅麦克风器件的声孔、空气隙、背腔结构，这样硅麦克风器件可动极板和固定极板制作过程中的高温工艺不会损害到集成电路，集成电路制作工艺又不会损害硅麦克风器件的机械结构，本发明还提供一种将硅麦克风器件与集成电路单片集成的芯片。
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