公开(公告)号：CN107785447A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201610723411.2

申请日：2016-08-25

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 徐华毕 ,  孙翔 ,  姜占锋

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种晶体硅太阳能电池及其制备方法，该方法包括：(1)在晶体硅衬底正面形成晶体硅发射结、然后依次沉积含第一硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构、透明导电薄膜以及金属正电极；(2)在晶体硅衬底反面形成晶体硅背场、然后依次沉积含第二硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构、透明导电薄膜以及金属背电极。本发明提供的方法有效提高了晶体硅太阳能电池的光生电流和开路电压且制备工艺简单易行。

公开(公告)号：CN107785447B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201610723411.2

申请日：2016-08-25

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 徐华毕 ,  孙翔 ,  姜占锋

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种晶体硅太阳能电池及其制备方法，该方法包括：(1)在晶体硅衬底正面形成晶体硅发射结、然后依次沉积含第一硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构、透明导电薄膜以及金属正电极；(2)在晶体硅衬底反面形成晶体硅背场、然后依次沉积含第二硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构、透明导电薄膜以及金属背电极。本发明提供的方法有效提高了晶体硅太阳能电池的光生电流和开路电压且制备工艺简单易行。

公开(公告)号：CN107452830A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201610380023.9

申请日：2016-05-31

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 谭伟华 ,  孙玉星 ,  孙翔 ,  徐华毕

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/068 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池，包括硅片，硅片向光面的正面电极，及硅片背光面的铝层、背电极；所述铝层位于硅片背光面的表面；所述背电极位于铝层的表面；所述铝层接触的硅片背光面的少子寿命为3~10μs。本发明还提供一种背钝化太阳能电池的制备方法，本发明制备的太阳能电池工艺简单，钝化效果好，大大降低了电池的串联电阻，明显增加了电池的填充因子，光电转换效率也有所提升，与只含有背光面铝层的太阳能电池相比，电池的短路电流及开路电压都得到较大程度的提高，且串联电阻也有所降低，因此电池的转换效率得到显著提升。

公开(公告)号：CN107452830B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201610380023.9

申请日：2016-05-31

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 谭伟华 ,  孙玉星 ,  孙翔 ,  徐华毕

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池，包括硅片，硅片向光面的正面电极，及硅片背光面的铝层、背电极；所述铝层位于硅片背光面的表面；所述背电极位于铝层的表面；所述铝层接触的硅片背光面的少子寿命为3~10μs。本发明还提供一种背钝化太阳能电池的制备方法，本发明制备的太阳能电池工艺简单，钝化效果好，大大降低了电池的串联电阻，明显增加了电池的填充因子，光电转换效率也有所提升，与只含有背光面铝层的太阳能电池相比，电池的短路电流及开路电压都得到较大程度的提高，且串联电阻也有所降低，因此电池的转换效率得到显著提升。

公开(公告)号：CN103374746A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210127956.9

申请日：2012-04-27

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 陈戈 ,  姜占锋 ,  徐华毕 ,  李国兵

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及一种用于制作准单晶硅的装置，所述装置包括至少二个长方体坩埚、以及至少一个梯形体坩埚，所述梯形体坩埚连接于相邻的二个长方体坩埚之间，并且位于上方的长方体坩埚大于位于下方的长方体坩埚。本发明还涉及准单晶硅的制作方法，包括以下步骤：选取籽晶铺在所述的用于制作准单晶硅的装置的最下方的长方体坩埚的底部，进入长晶阶段，待硅晶体长成后降温得到硅锭；按照梯形体坩埚的体积投入熔融的硅料，进入下一次长晶阶段，待硅晶体长成后降温得到硅锭；按照梯形体坩埚上方的长方体坩埚的体积投入熔融的硅料，进入下一次长晶阶段，待硅晶体长成后降温得到硅锭；重复上述步骤，得到准单晶硅。本发明的制备方法采用本发明的装置能够降低籽晶用量，降低籽晶使用成本。