公开(公告)号：CN118231033A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311278182.4

申请日：2023-09-28

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 禹跃斌 ,  管慧兰 ,  郑佳鑫 ,  区灿林 ,  周维

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224

Abstract: 本申请提供了透明导电膜、太阳能电池及其制备方法，透明导电膜包括层叠设置的N+1层的透明导电层和N层的透明导电过渡层，透明导电过渡层设置在相邻的透明导电层之间，N+1层的透明导电层包括第a层透明导电层和第a+1层透明导电层，第a层透明导电层的材质包括第一透明导电材料，第a+1层透明导电层的材质包括第二透明导电材料，第a层透明导电层和第a+1层透明导电层之间的透明导电过渡层为第a层透明导电过渡层，沿第a层透明导电层至第a+1层透明导电层的层叠方向上，第a层透明导电过渡层中，第一透明导电材料的质量含量逐渐降低，第二透明导电材料的质量含量逐渐增加，a为大于或等于1的正整数，N为大于或等于a的正整数。

公开(公告)号：CN118630073B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411103908.5

申请日：2024-08-13

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 李春雷 ,  管慧兰 ,  李晓春 ,  区灿林 ,  周维

IPC: H01L31/0216

Abstract: 本发明提供一种电池，该电池包括钝化层；所述钝化层包括式1所示的化合物，其中，R1、R2、R3、R4各自独立地选自取代或未取代的C1‑C20的烷基、卤素、取代或未取代的氨基、取代或未取代的C1‑C20的烷氧基中的一种，且R1、R2、R3、R4中的至少一个包括所述取代或未取代的C1‑C20的烷基或所述取代或未取代的氨基；所述烷基的取代基、所述氨基的取代基和所述烷氧基的取代基各自独立地选自卤素、氨基、‑Si(CxH2x+1)3中的一种，x为1‑20中的整数。本发明的电池中的钝化层能够降低电池的寄生吸收，提高电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN118630073A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202411103908.5

申请日：2024-08-13

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 李春雷 ,  管慧兰 ,  李晓春 ,  区灿林 ,  周维

IPC: H01L31/0216

Abstract: 本发明提供一种电池，该电池包括钝化层；所述钝化层包括式1所示的化合物，其中，R1、R2、R3、R4各自独立地选自取代或未取代的C1‑C20的烷基、卤素、取代或未取代的氨基、取代或未取代的C1‑C20的烷氧基中的一种，且R1、R2、R3、R4中的至少一个包括所述取代或未取代的C1‑C20的烷基或所述取代或未取代的氨基；所述烷基的取代基、所述氨基的取代基和所述烷氧基的取代基各自独立地选自卤素、氨基、‑Si(CxH2x+1)3中的一种，x为1‑20中的整数。本发明的电池中的钝化层能够降低电池的寄生吸收，提高电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN220324467U

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202321864362.6

申请日：2023-07-14

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 禹跃斌 ,  管慧兰 ,  郑佳鑫 ,  区灿林 ,  周维

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0747

Abstract: 本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，公开了一种TCO薄膜和异质结太阳能电池。该TCO薄膜包括多层膜结构；其中，所述多层膜结构包括交替叠加的未掺杂碳氢的导电氧化物层和掺杂碳氢的导电氧化物层。本实用新型提供的TCO薄膜具有未掺杂碳氢的导电氧化物层、掺杂碳氢的导电氧化物层交替叠加的多层膜结构，能够有效提升TCO薄膜在300‑1100nm波段范围的光透过率，减少光损失，同时能够提高载流子迁移率，进而可使异质结太阳能电池产品具有更高的光电转化效率和更高的短路电流密度，性能得到显著改善。

公开(公告)号：CN221687539U

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202322385648.2

申请日：2023-08-31

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 李相科 ,  管慧兰 ,  郑佳鑫 ,  区灿林 ,  周维

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，具体涉及一种背面透明导电薄膜和异质结太阳能电池，所述背面透明导电薄膜包括TCO层(11)和设置在所述TCO层(11)上的金属层(12)；其中，所述TCO层(11)的材质选自ITO、ICO、IWO、AZO、IZTO，所述金属层(12)的材质选自钼、钛、铬、钼钛合金、钼铬合金、钛铬合金、钼钛铬合金。本实用新型中提供的背面透明导电薄膜，金属层与P型掺杂非晶硅层的功函数匹配性好，可降低接触电阻，有利于提高载流子的传输，防止非晶硅表面的电荷累积到一定程度后击穿非晶硅。