-
公开(公告)号：CN107973300B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201610938912.2
申请日：2016-10-25
申请人： 江苏中能硅业科技发展有限公司
IPC分类号： C01B33/027 , C01B33/029 , C01B33/03 , C01B33/031
摘要： 本发明公开了一种液态硅生产装置及方法，该装置包括依次连接的等离子发生器、反应器、硅液承载器和尾气分离系统，在反应器内依次存在气体冷凝区、液滴形成区和液滴生长区。该方法是使物料在装置内进行原子态物料‑微小硅液滴‑大的硅液滴‑硅液的转化，对大部分硅物质进行液态收集，只有很少一部分的硅物质形成硅微粉从尾气系统排出。采用本发明，能够直接得到高纯液态硅材料，操作工序简单，且允许液态硅材料直接输送到下游的铸锭工序、直拉单晶工序或者制备硅片等工序，能够极大降低多晶硅生产投资成本，保证生产装置稳定长周期运行，提高产量。
-
公开(公告)号：CN102009984B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010519498.4
申请日：2010-10-26
申请人： 江苏中能硅业科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种利用氯硅烷制备分子筛的方法：1)将氯硅烷与氢氧化钠溶液在反应器中混合，控制氢氧化钠溶液的量调节混合溶液的pH至碱性；2)将步骤1)得到的混合溶液在0～60℃下陈化形成凝胶；3)将步骤2)得到的凝胶在80～200℃下高温晶化得到分子筛晶粒；4)将步骤3)得到的分子筛晶粒经过滤、洗涤、400～500℃高温煅烧1～4h后研磨得到分子筛粉体。通过本发明可以利用西门子法多晶硅工艺的副产物氯硅烷做原料，制备出高附加值的高纯分子筛化工产品。
-
公开(公告)号：CN110890537B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201811055695.8
申请日：2018-09-11
申请人： 江苏中能硅业科技发展有限公司 , 鑫创新材料科技(徐州)有限公司
IPC分类号： H01M4/38 , H01M10/0525 , C01B33/02 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种高纯纳米晶硅的生产方法，1）将废硅料和/或副产硅粉，经预处理后得到10～50μm硅粉；2）将步骤1）中的硅粉按照固含量5～30 wt%的比例加入到分散液中，再加入1～10wt%的分散剂，在分散罐中搅拌，形成硅粉浆料；3）将步骤2）形成硅粉浆料抽至砂磨机进行研磨，得到平均粒径为20～30 nm纳米晶硅浆料；4）将步骤3）中得到的纳米晶硅浆料输送至喷雾干燥系统，获得纳米多孔晶硅颗粒。本发明实现低成本大规模生产，有效地控制纳米晶硅的稳定性、纯度和粒度，生产的纳米多孔晶硅颗粒形貌可调，其内部孔隙为纳米连通孔，有效地缓解硅的体积膨胀，也显著地提高硅负极的电学性能。
-
公开(公告)号：CN110272283A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810207094.8
申请日：2018-03-14
申请人： 江苏中能硅业科技发展有限公司
IPC分类号： C04B35/584 , C01C1/16 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了一种氮化硅粉的生产方法，包括：1）以四氯化硅和氨气为原料，反应合成氮化硅的前驱体Si(NH)2固体，通过得到纯净的Si(NH)2粉末；2）将Si(NH)2移至高温炉中，煅烧得到非晶态氮化硅粉；3）将得到的氮化硅粉细化、压块后移入高温结晶炉中，煅烧获得晶态氮化硅粉。本发明可连续不间断地合成氮化硅前驱体，同时采用两次煅烧处理即Si(NH)2低温分解和非晶氮化硅粉的高温结晶，灵活控制最终产品氮化硅粉的粒径、形状及相组成；整个工艺过程没有机溶剂的参与，避免产品氮化硅粉中碳杂质的产生；该产品所用原料国内已规模化生产，实现低成本生产高纯亚微米等轴氮化硅粉。
-
公开(公告)号：CN107930839A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711191861.2
申请日：2017-11-24
申请人： 中国矿业大学 , 江苏中能硅业科技发展有限公司
摘要： 本发明针对硅晶生产过程中废弃的石墨组件，公开了一种从硅晶生产废弃石墨组件中石墨和硅的重选-浮选联合分离方法，其步骤包括：破碎筛分、重选、磨矿、浮选。本发明回收的石墨碳含量大于97%，回收率大于85%；硅产品硅含量大于98%，回收率大于90%。本发明成本低、产品质量稳定可靠，能连续规模化生产，实现了碳和硅资源的循环利用。
-
公开(公告)号：CN102557038A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110457997.X
申请日：2011-12-31
申请人： 江苏中能硅业科技发展有限公司
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： Y02P20/124
摘要： 本发明公开了一种多晶硅的制备方法，其包括在还原炉反应器内，原料三氯氢硅与高纯氢气在1050-1250℃高温、0~0.8MPa条件下发生化学气相沉积反应，并在发热的硅芯表面沉积多晶硅的步骤，其特征在于所述化学气相沉积过程中，向还原炉内通入0.1%~20%卤化氢气体。本发明能有效抑制还原炉内体相中产生硅粉，消除雾化现象，反应所产生的热量可供多晶硅沉积使用，提高能量利用效率和硅沉积速率，而且无需降低反应温度和卤代硅烷浓度，卤化氢在硅棒表面的刻蚀，有助于改善表面形貌，得到致密多晶硅棒。
-
公开(公告)号：CN107364869A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710794185.1
申请日：2013-04-16
申请人： 江苏中能硅业科技发展有限公司
IPC分类号： C01B33/03
CPC分类号： B01J8/24 , B01J8/1827 , B01J8/1836 , B01J8/42 , B01J19/02 , B01J2208/00433 , B01J2208/00469 , B01J2208/00893 , B01J2208/00902 , B01J2219/0209 , B01J2219/0218 , B01J2219/0227 , B01J2219/0263 , B01J2219/0286 , C01B33/03
摘要： 本发明公开了一种流化床反应器及其用于制备高纯粒状多晶硅的方法，包括反应管、分布器和加热装置，所述反应管和位于反应管底部的分布器构成反应室，所述分布器设有气体进口和产品出口，所述反应管顶部或上部设有尾气出口和籽晶进料口，其特征在于所述反应管由反应内管和反应外管构成，所述加热装置为感应加热装置且位于内外管构成的中空腔体内，所述中空腔体填充氢气、氮气或惰性气体保护，并维持0.01~5MPa的压力。本发明的流化床反应器采用感应加热的方式直接加热反应室内部硅颗粒，使得反应管温度比反应室内部温度低，从而避免管壁沉积，同时加热更加均匀，适用于大直径流化床反应器，单套反应器的生产能力大大提高。
-
公开(公告)号：CN102557038B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110457997.X
申请日：2011-12-31
申请人： 江苏中能硅业科技发展有限公司
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： Y02P20/124
摘要： 本发明公开了一种多晶硅的制备方法，其包括在还原炉反应器内，原料三氯氢硅与高纯氢气在1050-1250℃高温、0~0.8MPa条件下发生化学气相沉积反应，并在发热的硅芯表面沉积多晶硅的步骤，其特征在于所述化学气相沉积过程中，向还原炉内通入0.1%~20%卤化氢气体。本发明能有效抑制还原炉内体相中产生硅粉，消除雾化现象，反应所产生的热量可供多晶硅沉积使用，提高能量利用效率和硅沉积速率，而且无需降低反应温度和卤代硅烷浓度，卤化氢在硅棒表面的刻蚀，有助于改善表面形貌，得到致密多晶硅棒。
-
公开(公告)号：CN102953119A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110239301.6
申请日：2011-08-19
申请人： 江苏中能硅业科技发展有限公司
摘要： 本发明涉及一种多晶硅制备工艺和用于本工艺的多晶硅制备装置，制备工艺是在自蔓延燃烧反应器，采用卤化盐为氧化剂，化学元素周期表IA、IIA族元素或其合金为还原剂，连续式生产高纯多晶硅，并可在生产过程中连续铸造多晶硅锭。具有原料价廉、工艺简单、副产物能回收利用等优点。制备装置包括由反应器内衬和外壳限定的中空腔体，其顶端设有还原剂进料管、氧化剂进料管和尾气出口，其底端设有主、副产物出口管；其底部设有辅助换热器；氧化剂喷嘴伸入中空腔体的位置高于还原剂喷嘴，且还原剂喷嘴为旋转喷嘴，氧化剂喷嘴与气体分布盘连接。该装置可实现比传统实践更高的产量和更好的收率，且成本较低。
-
公开(公告)号：CN110890537A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811055695.8
申请日：2018-09-11
申请人： 江苏中能硅业科技发展有限公司 , 鑫创新材料科技(徐州)有限公司
IPC分类号： H01M4/38 , H01M10/0525 , C01B33/02 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种高纯纳米晶硅的生产方法，1）将废硅料和/或副产硅粉，经预处理后得到10～50μm硅粉；2）将步骤1）中的硅粉按照固含量5～30 wt%的比例加入到分散液中，再加入1～10wt%的分散剂，在分散罐中搅拌，形成硅粉浆料；3）将步骤2）形成硅粉浆料抽至砂磨机进行研磨，得到平均粒径为20～30 nm纳米晶硅浆料；4）将步骤3）中得到的纳米晶硅浆料输送至喷雾干燥系统，获得纳米多孔晶硅颗粒。本发明实现低成本大规模生产，有效地控制纳米晶硅的稳定性、纯度和粒度，生产的纳米多孔晶硅颗粒形貌可调，其内部孔隙为纳米连通孔，有效地缓解硅的体积膨胀，也显著地提高硅负极的电学性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
20 条记录 (耗时 0.029 秒)
