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公开(公告)号：CN116974003A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310963715.6
申请日：2023-08-02
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： G02B6/02 , G02B6/028 , G02B6/036 , C03B37/018 , C03B37/027
摘要： 本发明公开一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤及制备方法，该光纤为渐变型光纤，包括芯层和包层，芯层的折射率为抛物线型分布，包层包括三下陷包层和外包层。本发明中，芯层采用渐变抛物线型折射率分布，充分利用其可抑制非线性效应、放宽MAC对模场直径的容忍程度的优点，可较大程度降低芯层锗的掺杂量，使芯层和内包层粘度匹配更优，通过优化芯层折射率水平、调控三下陷包层的深度及宽度，可实现宏弯水平符合G.657A2的标准，满足FTTH复杂的布局环境的要求，同时拥有大的模场直径，可与常规G.652D完全兼容；外包层掺铝，可提升玻璃的粘度，拉丝时将应力集中在包层，芯层受力较少，减少光纤内部缺陷，从而降低光纤衰减。
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公开(公告)号：CN116282885A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310313571.X
申请日：2023-03-28
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： C03B37/014 , G05B19/418
摘要： 本发明公开了提高光纤预制棒截止波长和模场直径均匀性的控制方法，包括以下步骤：制备光纤预制棒，将VAD制备的芯棒搭配成OVD沉积所需母棒并给定OVD目标设计外径；OVD开工后，将整根母棒不同测试点测算出的数据信息上传至OVD沉积机台控制系统，计算与目标截止波长、目标模场直径之间的偏差，进而重新计算不同测试点的目标设计外径，反算需沉积重量；OVD工艺沉积结束后，根据不同位置设计外径的大小差异化调节温度，进行烧结整形，使光棒外径趋于均匀。本发明在OVD法沉积过程中，根据母棒参数均匀性调控外包层直径沉积均匀性，再通过调节烧结温度来控制整体光棒直径均匀性，有效改善光纤预制棒拉丝截止波长和模场直径均匀性。
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公开(公告)号：CN115437060A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211077684.6
申请日：2022-09-05
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： G02B6/02 , G02B6/036 , G02B6/028 , C03B37/014
摘要： 本发明公开一种低损抗弯单模光纤及其制备方法，该光纤从内到外依次包括纤芯层、第一内包层、第二内包层、过渡层和外包层。本发明中，纤芯层、第一内包层和第二内包层通过VAD法一步沉积而成，过渡层与外包层通过OVD法分步沉积而成，工艺路径简单，成本低，有利于规模化；第一内包层掺氟，通过精准控制氟的掺杂量可实现纤芯层中锗氟共掺，降低纤芯层的粘度，使纤芯层和内包层粘度匹配更优，减少光纤内部的缺陷，降低衰减损耗；过渡层中掺氯，优化过渡层的宽度，可有效阻挡外包层中的羟基进行到纤芯层，减弱对光纤衰减造成的负面影响；外包层中掺铝，有利于在拉丝过程中将应力集中在包层，使纤芯层受力较少，减少光纤内部缺陷，降低衰减损耗。
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公开(公告)号：CN116755188A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310924657.6
申请日：2023-07-26
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： G02B6/02 , G02B6/036 , C03B37/012 , C03B37/018 , C03B37/027
摘要： 本发明公开一种低串扰多芯单模光纤及其制备方法，该光纤包括若干根芯子和包覆于芯子上的带有空气辅助孔的外包层，芯子包含由内至外依次设置的纤芯层、内包层及下陷包层，空气辅助孔呈正多边形排布于芯子外围。本发明通过在纤芯层周围设置内包层、下陷包层和空气辅助孔结构，有效降低了纤芯层周围包层折射率，将光能量约束在纤芯层内，更好的抑制了纤芯之间的串扰；空气辅助孔加工与套柱加工同步进行，工艺更可控，更易批量化生产，当纤芯层半径、芯间距等参数相同时，将纤芯层和下陷包层的相对折射率控制在0.500％和‑0.500％以内即可达到相同的串扰抑制效果和宏弯水平，从工艺角度来讲掺杂量少更易于控制，同时也更利于光纤衰减控制。
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公开(公告)号：CN117550795A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311518019.0
申请日：2023-11-15
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： C03B37/012 , C03B37/027
摘要： 本发明公开了一种低损耗光纤预制棒、制备方法及光纤，所述光纤预制棒包括外芯层和内芯层，所述外芯层为掺杂有碱金属的四孔石英管，所述内芯层为掺杂有碱金属的石英棒，所述内芯层位于四孔石英管内，外芯层和内芯层熔缩为一体；所述制备方法包括一下步骤S1：制备碱金属掺杂的内芯层；S2：打磨内芯层外圆，再对内芯层进行延伸，延伸后分切备用；S3：制备碱金属掺杂的外芯层；S4：将S2的内芯层装入S3的外芯层内熔缩成低损耗光纤预制棒。本发明在掺杂碱金属的四孔石英管内装入掺杂碱金属的石英棒后再进行整体熔缩形成光纤预制棒，可以制备更大尺寸的光纤预制棒，提高光纤预制棒的碱金属含量，降低光纤衰减。
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公开(公告)号：CN113670228A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111133507.0
申请日：2021-09-27
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本发明提供了一种光纤预制棒弯曲度的立式检测方法，其能解决现有卧式检测方法检测精度低的问题。其先将预制棒直立设置在测试塔架上；视觉检测机构沿预制棒的轴向自一端至另一端对预制棒进行扫描，并将在每一个扫描位置处得到的预制棒的中心点记录为测试点；将扫描首、尾两端的两个测试点连接成一测试直线，计算其余所有测试点到该测试直线的垂直正交距离，并将其中所得到的最大距离值记为N1；将预制棒绕轴向依次旋转一定角度后重复上述步骤并得到s个最大距离值，依次记为N2、N3……Ns；比较N1、N2、N3……Ns的大小，取其中的最大值记为Nmax即为预制棒的最大弯曲值；根据预制棒的可测试长度L，得到预制棒的弯曲度＝Nmax/L。
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公开(公告)号：CN112230331A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011250452.7
申请日：2020-11-11
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种全合成低损耗单模光纤，从内至外包括纤芯层、第一内包层、第二内包层和外包层；纤芯层为掺杂锗元素的石英玻璃层，纤芯层相对于纯石英玻璃的折射率差△n1为0.300％～0.340％；第一内包层和第二内包层均为掺杂氟元素的石英玻璃层；第一内包层相对于纯石英玻璃的折射率差△n2为‑0.04％～‑0.02％；第二内包层相对于纯石英玻璃的折射率差△n3为‑0.07％～‑0.04％；外包层为微掺杂铝石英包层，外包层相对于纯石英玻璃的折射率差△n4满足△n1>△n4>△n2>△n3。该光纤在1550nm波段的衰减系数小于或等于0.180db/km，达到了低损耗衰减的目的，且制造成本低，工艺难度低。
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公开(公告)号：CN220650930U
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202322058448.6
申请日：2023-08-02
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
摘要： 本实用新型公开一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤，该光纤为渐变型光纤，包括芯层和包层，芯层的折射率为抛物线型分布，包层包括三下陷包层和外包层。本实用新型中，芯层采用渐变抛物线型折射率分布，充分利用其可抑制非线性效应、放宽MAC对模场直径的容忍程度的优点，可较大程度降低芯层锗的掺杂量，使芯层和内包层粘度匹配更优，通过优化芯层折射率水平、调控三下陷包层的深度及宽度，可实现宏弯水平符合G.657A2的标准，满足FTTH复杂的布局环境的要求，同时拥有大的模场直径，可与常规G.652D完全兼容；外包层掺铝，可提升玻璃的粘度，拉丝时将应力集中在包层，芯层受力较少，减少光纤内部缺陷，从而降低光纤衰减。
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公开(公告)号：CN220340440U
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202321980613.7
申请日：2023-07-26
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司 , 江苏亨通光纤科技有限公司
IPC分类号： G02B6/02 , G02B6/036 , C03B37/012 , C03B37/018 , C03B37/027
摘要： 本实用新型公开了一种低串扰多芯单模光纤，包括若干根芯子和包覆于芯子上的带有空气辅助孔的外包层，芯子包含由内至外依次设置的纤芯层、内包层及下陷包层，空气辅助孔呈正多边形排布于芯子外围。本实用新型通过在纤芯层周围设置内包层、下陷包层和空气辅助孔结构，有效降低了纤芯层周围包层折射率，将光能量约束在纤芯层内，更好的抑制了纤芯之间的串扰；空气辅助孔加工与套柱加工同步进行，工艺更可控，更易批量化生产，当纤芯层半径、芯间距等参数相同时，将纤芯层和下陷包层的相对折射率控制在0.500％和‑0.500％以内即可达到相同的串扰抑制效果和宏弯水平，从工艺角度来讲掺杂量少更易于控制，同时也更利于光纤衰减控制。
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公开(公告)号：CN216248394U
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202022588176.7
申请日：2020-11-11
申请人： 江苏亨通光导新材料有限公司 , 江苏亨通光电股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种全合成低损耗单模光纤，从内至外包括纤芯层、第一内包层、第二内包层和外包层；纤芯层为掺杂锗元素的石英玻璃层，纤芯层相对于纯石英玻璃的折射率差△n1为0.300％～0.340％；第一内包层和第二内包层为掺杂氟元素的石英玻璃层；第一内包层相对于纯石英玻璃的折射率差△n2为‑0.04％～‑0.02％；第二内包层相对于纯石英玻璃的折射率差△n3为‑0.07％～‑0.04％；外包层为微掺杂铝石英包层，外包层相对于纯石英玻璃的折射率差△n4满足△n1>△n4>△n2>△n3。该光纤在1550nm波段的衰减系数小于或等于0.180db/km，达到了低损耗衰减的目的，且制造成本和工艺难度低。
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