公开(公告)号：CN109708727B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201910160547.0

申请日：2019-03-04

申请人： 江苏多维科技有限公司

发明人： 詹姆斯·G·迪克 ,  伊拉姆帕瑞蒂·维斯瓦纳坦

IPC分类号： G01F23/72

摘要： 本发明公开了一种基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器，包括：多个TMR磁传感器芯片；微控制器、行解码器以及列解码器，微控制器和行解码器、列解码器电连接；TMR磁传感器芯片包括多个MTJ元件，每行MTJ元件与行引线或列引线之间连接有二极管，通过行解码器以及列解码器解码的数据并基于公式Address＝m+[M x(n‑1)]寻址TMR磁传感器芯片，其中Address表示地址值，其中m表示当前行的值；微控制器用于扫描TMR磁传感器芯片的地址并找出最高激活状态的MTJ元件的地址，并将地址值转换为与之呈线性比例关系的液位值，并将液位值传送到输出接口；永磁体和保护管。通过一次仅为一个传感器芯片元件供电而极大地最小化传感器元件的功耗。

公开(公告)号：CN109708727A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910160547.0

申请日：2019-03-04

申请人： 江苏多维科技有限公司

发明人： 詹姆斯·G·迪克 ,  伊拉姆帕瑞蒂·维斯瓦纳坦

IPC分类号： G01F23/72

摘要： 本发明公开了一种基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器，包括：多个TMR磁传感器芯片；微控制器、行解码器以及列解码器，微控制器和行解码器、列解码器电连接；TMR磁传感器芯片包括多个MTJ元件，每行MTJ元件与行引线或列引线之间连接有二极管，通过行解码器以及列解码器解码的数据并基于公式Address＝m+[M x(n-1)]寻址TMR磁传感器芯片，其中Address表示地址值，其中m表示当前行的值；微控制器用于扫描TMR磁传感器芯片的地址并找出最高激活状态的MTJ元件的地址，并将地址值转换为与之呈线性比例关系的液位值，并将液位值传送到输出接口；永磁体和保护管。通过一次仅为一个传感器芯片元件供电而极大地最小化传感器元件的功耗。

公开(公告)号：CN107015171B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201710180998.1

申请日：2017-03-24

申请人： 江苏多维科技有限公司

发明人： 詹姆斯·G·迪克 ,  伊拉姆帕瑞蒂·维斯瓦纳坦

IPC分类号： G01R33/02

摘要： 本发明公开了一种具有磁滞线圈的磁传感器封装结构，包括衬底、传感器切片、设置在衬底上的螺旋磁滞线圈、引线键合焊盘，所述的传感器桥臂由磁电阻传感元件构成，所述传感器切片上沉积有传感器桥臂，所述传感器桥臂电连接成磁电阻传感器电桥，所述的磁电阻传感器电桥设置在所述磁滞线圈上，所述螺旋磁滞线圈产生的磁场与传感器电桥的敏感轴共线，所述磁电阻传感器桥式电路封装在所述衬底上。本发明通过设置螺旋磁滞线圈，能够承载更大的电流，电阻值更小。本发明消除了由传感器在磁滞周期所产生的磁滞，且所述封装结构的制作工艺简单，制作成本低。

公开(公告)号：CN107015171A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710180998.1

申请日：2017-03-24

申请人： 江苏多维科技有限公司

发明人： 詹姆斯·G·迪克 ,  伊拉姆帕瑞蒂·维斯瓦纳坦

IPC分类号： G01R33/02

CPC分类号： G01R33/02

摘要： 本发明公开了一种具有磁滞线圈的磁传感器封装结构，包括衬底、传感器切片、设置在衬底上的螺旋磁滞线圈、引线键合焊盘，所述的传感器桥臂由磁电阻传感元件构成，所述传感器切片上沉积有传感器桥臂，所述传感器桥臂电连接成磁电阻传感器电桥，所述的磁电阻传感器电桥设置在所述磁滞线圈上，所述螺旋磁滞线圈产生的磁场与传感器电桥的敏感轴共线，所述磁电阻传感器桥式电路封装在所述衬底上。本发明通过设置螺旋磁滞线圈，能够承载更大的电流，电阻值更小。本发明消除了由传感器在磁滞周期所产生的磁滞，且所述封装结构的制作工艺简单，制作成本低。

公开(公告)号：CN206671517U

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201720292839.6

申请日：2017-03-24

申请人： 江苏多维科技有限公司

发明人： 詹姆斯·G·迪克 ,  伊拉姆帕瑞蒂·维斯瓦纳坦

IPC分类号： G01R33/02

摘要： 本实用新型公开了一种具有磁滞线圈的磁传感器封装结构，包括衬底、传感器切片、设置在衬底上的螺旋磁滞线圈、引线键合焊盘，所述的传感器桥臂由磁电阻传感元件构成，所述传感器切片上沉积有传感器桥臂，所述传感器桥臂电连接成磁电阻传感器电桥，所述的磁电阻传感器电桥设置在所述磁滞线圈上，所述螺旋磁滞线圈产生的磁场与传感器电桥的敏感轴共线，所述磁电阻传感器桥式电路封装在所述衬底上。本实用新型通过设置螺旋磁滞线圈，能够承载更大的电流，电阻值更小。本实用新型消除了由传感器在磁滞周期所产生的磁滞，且所述封装结构的制作工艺简单，制作成本低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210036902U

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201920269522.X

申请日：2019-03-04

申请人： 江苏多维科技有限公司

发明人： 詹姆斯·G·迪克 ,  伊拉姆帕瑞蒂·维斯瓦纳坦

IPC分类号： G01F23/72

摘要： 本实用新型公开了一种基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器，包括：多个TMR磁传感器芯片；微控制器、行解码器以及列解码器，微控制器和行解码器、列解码器电连接；TMR磁传感器芯片包括多个MTJ元件，每行MTJ元件与行引线或列引线之间连接有二极管，通过行解码器以及列解码器解码的数据并基于公式Address＝m+[Mx(n-1)]寻址TMR磁传感器芯片，其中Address表示地址值，其中m表示当前行的值；微控制器用于扫描TMR磁传感器芯片的地址并找出最高激活状态的MTJ元件的地址，并将地址值转换为与之呈线性比例关系的液位值，并将液位值传送到输出接口；永磁体和保护管。通过一次仅为一个传感器芯片元件供电而极大地最小化传感器元件的功耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利