公开(公告)号：CN103146379A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310096948.7

申请日：2013-03-25

Applicant: 江苏大学

Inventor： 关庆丰 ,  吕鹏 ,  王晓彤 ,  张在强 ,  李艳 ,  杨盛志 ,  侯秀丽

IPC: C09K11/59 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于光致发光半导体纳米材料制备领域，尤其涉及一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法。本发明利用强流脉冲电子束制备硅基纳米量子点纳米材料，随后对不同参数下硅纳米量子点纳米材料进行光致发光特性PL测定，实验发现，经过HCPEB辐照制备出硅基纳米量子点纳米材料，并且所述纳米材料能够发出强度较高的蓝光。

公开(公告)号：CN103146379B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310096948.7

申请日：2013-03-25

Applicant: 江苏大学

Inventor： 关庆丰 ,  吕鹏 ,  王晓彤 ,  张在强 ,  李艳 ,  杨盛志 ,  侯秀丽

IPC: C09K11/59 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于光致发光半导体纳米材料制备领域，尤其涉及一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法。本发明利用强流脉冲电子束制备硅基纳米量子点纳米材料，随后对不同参数下硅纳米量子点纳米材料进行光致发光特性PL测定，实验发现，经过HCPEB辐照制备出硅基纳米量子点纳米材料，并且所述纳米材料能够发出强度较高的蓝光。