公开(公告)号：CN109778307A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910117365.5

申请日：2019-02-15

Applicant: 江苏大学

Inventor： 丁建宁 ,  徐嘉伟 ,  袁宁一 ,  程广贵 ,  朱科钤

IPC: C30B15/06 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及单晶硅材料制备技术领域，尤其涉及一种适用于单晶硅水平生长机构的过程控制系统。其包括：熔融区域温度控制模块，冷却区域控制模块，提拉籽晶模块。在所述熔融区域控制模块中，包含有4段可设置的升温模块；在所述的冷却区域控制模块中包含了2段可设置的升温模块；在所述的籽晶提拉模块中，包含有可控制的籽晶杆进退模块。利用上述过程控制系统，并配合水平提拉法生产单晶硅装备，能够实现连续生长超薄单晶硅片。

公开(公告)号：CN109778307B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201910117365.5

申请日：2019-02-15

Applicant: 江苏大学

Inventor： 丁建宁 ,  徐嘉伟 ,  袁宁一 ,  程广贵 ,  朱科钤

IPC: C30B15/06 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及单晶硅材料制备技术领域，尤其涉及一种适用于单晶硅水平生长机构的过程控制系统。其包括：熔融区域温度控制模块，冷却区域控制模块，提拉籽晶模块。在所述熔融区域控制模块中，包含有4段可设置的升温模块；在所述的冷却区域控制模块中包含了2段可设置的升温模块；在所述的籽晶提拉模块中，包含有可控制的籽晶杆进退模块。利用上述过程控制系统，并配合水平提拉法生产单晶硅装备，能够实现连续生长超薄单晶硅片。