公开(公告)号：CN114238845B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202111568748.8

申请日：2021-12-21

申请人： 江苏希太芯科技有限公司

发明人： 杨亮亮 ,  陈洪立 ,  俞智勇 ,  孙恩欢 ,  王强

IPC分类号： G06F17/12 ,  G06F17/16 ,  G01B13/06

摘要： 本发明公开了一种通过气流传感器测试晶圆厚度的测量方法，利用气体的吸附作用，使半导体的电导率发生变化，通过假定初始值，进行数据计算矫正，利用拟合曲线进而测出晶圆厚度的大小。由于厂内的环境温度，介电常数等可以确定，只需通过多次实验测试，即可得到相应的多元线性模型，再用数学方法对线性数据模型进行一定的精度校准，提高测量精度。

公开(公告)号：CN114238845A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111568748.8

申请日：2021-12-21

申请人： 江苏希太芯科技有限公司

发明人： 杨亮亮 ,  陈洪立 ,  俞智勇 ,  孙恩欢 ,  王强

IPC分类号： G06F17/12 ,  G06F17/16 ,  G01B13/06

摘要： 本发明公开了一种通过气流传感器测试晶圆厚度的测量方法，利用气体的吸附作用，使半导体的电导率发生变化，通过假定初始值，进行数据计算矫正，利用拟合曲线进而测出晶圆厚度的大小。由于厂内的环境温度，介电常数等可以确定，只需通过多次实验测试，即可得到相应的多元线性模型，再用数学方法对线性数据模型进行一定的精度校准，提高测量精度。