单片集成式微型红外气体传感器

    公开(公告)号:CN103245634A

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201310182931.3

    申请日:2013-05-16

    IPC分类号: G01N21/35 B81C1/00

    摘要: 本发明提供一种单片集成式微型红外气体传感器,包括:具有凹坑的上衬底和具有凹坑的下衬底,上衬底、下衬底以及键合假片结合在一起,中间形成中空的气室;上衬底凹坑的凹陷处设置有红外光源,上衬底凹坑的侧壁具有相对的斜面,在相对的斜面上设置有反射微镜;下衬底凹坑的凹陷处分布有一个或多个光栅结构,以及与光栅结构数量相一致的红外探测器;上衬底上红外光源的位置、下衬底上光栅结构、红外探测器分布的位置与上衬底凹坑斜面上反射微镜的位置及倾斜角度相配合,使得红外光源发出的红外光经过光栅结构分光后,与被测气体特征红外吸收峰对应波段的窄带红外光射向反射微镜,并经反射微镜反射后准确入射至红外探测器。

    电互连阵列的测试结构及其测试方法

    公开(公告)号:CN102914723A

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201210422224.2

    申请日:2012-10-29

    IPC分类号: G01R31/02

    摘要: 本发明提供一种结构简单,能够方便的对每个互连点进行测试的电互连阵列的测试结构及其测试方法。该测试结构包括:带有导电体的两个衬底;衬底之间的垂直电互连阵列;与两个衬底相连的测试电缆和电子系统;带有导电体的两个衬底相向放置,垂直电互连阵列设于一个或两个衬底上,其图形互相匹配或与衬底上的导电体匹配,垂直电互连阵列将两衬底上的导电体连接,两衬底及其带有的导电体均有一部分延伸至另一衬底外侧,延伸至另一衬底外侧的导电体使用测试电缆与电子系统进行连接。该电互连结构可以为导电凸块、焊球或TSV;另外,该结构能够同时评价互连点两侧与衬底连接的质量;通过对测试方法进行优化,可以减少大量测试数据,从而提升测试效率。

    一种晶圆级MEMS器件的真空封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN102583219A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210088182.3

    申请日:2012-03-29

    IPC分类号: B81B7/00 B81C1/00

    摘要: 本发明涉及一种晶圆级MEMS器件的真空封装结构及封装方法,所述晶圆级MEMS器件的真空封装结构,包括第一晶圆,所述第一晶圆的正面上设有ASIC电路,所述第一晶圆背面的下方设有第二晶圆;第一晶圆的背面设有凹槽,所述凹槽的槽口对应第二晶圆;所述凹槽内设有吸气剂激活结构,所述吸气剂激活结构覆盖凹槽并覆盖在第一晶圆的背面;凹槽的槽底设有吸气剂;第二晶圆上设有MEMS结构,所述MEMS结构位于吸气剂的正下方;所述第一晶圆与第二晶圆采用真空键合连接成一体,并在第一晶圆与第二晶圆间形成真空腔体,MEMS结构位于真空腔体内,且MEMS结构与ASIC电路电连接。本发明结构紧凑,提高了集成度,降低了生产成本,提高了生产效率。

    电互连阵列的测试结构及其测试方法

    公开(公告)号:CN102914723B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201210422224.2

    申请日:2012-10-29

    IPC分类号: G01R31/02

    摘要: 本发明提供一种结构简单,能够方便的对每个互连点进行测试的电互连阵列的测试结构及其测试方法。该测试结构包括:带有导电体的两个衬底;衬底之间的垂直电互连阵列;与两个衬底相连的测试电缆和电子系统;带有导电体的两个衬底相向放置,垂直电互连阵列设于一个或两个衬底上,其图形互相匹配或与衬底上的导电体匹配,垂直电互连阵列将两衬底上的导电体连接,两衬底及其带有的导电体均有一部分延伸至另一衬底外侧,延伸至另一衬底外侧的导电体使用测试电缆与电子系统进行连接。该电互连结构可以为导电凸块、焊球或TSV;另外,该结构能够同时评价互连点两侧与衬底连接的质量;通过对测试方法进行优化,可以减少大量测试数据,从而提升测试效率。

    单片集成式微型红外气体传感器

    公开(公告)号:CN103245634B

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201310182931.3

    申请日:2013-05-16

    IPC分类号: G01N21/3504 B81C1/00

    摘要: 本发明提供一种单片集成式微型红外气体传感器,包括:具有凹坑的上衬底和具有凹坑的下衬底,上衬底、下衬底以及键合假片结合在一起,中间形成中空的气室;上衬底凹坑的凹陷处设置有红外光源,上衬底凹坑的侧壁具有相对的斜面,在相对的斜面上设置有反射微镜;下衬底凹坑的凹陷处分布有一个或多个光栅结构,以及与光栅结构数量相一致的红外探测器;上衬底上红外光源的位置、下衬底上光栅结构、红外探测器分布的位置与上衬底凹坑斜面上反射微镜的位置及倾斜角度相配合,使得红外光源发出的红外光经过光栅结构分光后,与被测气体特征红外吸收峰对应波段的窄带红外光射向反射微镜,并经反射微镜反射后准确入射至红外探测器。

    MEMS结构缺陷的晶圆级自动检测系统及检测方法

    公开(公告)号:CN102854196A

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201210357917.8

    申请日:2012-09-24

    IPC分类号: G01N21/88

    摘要: 本发明涉及一种MEMS结构缺陷的晶圆级自动检测系统及检测方法,其包括控制计算机及用于放置待测晶圆的晶圆平台,所述晶圆平台通过晶圆平台控制器与控制计算机相连;所述晶圆平台上放置有探针台,所述探针台通过探针台控制器与控制计算机相连;所述控制计算机还与用于获取固有频率及图像的测试模块电连接。本发明利用表面形貌图像对比和激光测振频率对比的原理,对MEMS结构的表面缺陷和内部缺陷进行静态和动态的检测,判断所制得的MEMS产品是否可以进入后续的封装流程。该检测系统及检测方案为晶圆级自动检测,且为非接触式无损检测,适用于大规模的生产线,节约人力,检测结果准确、检测效率高,能够节约MEMS产品在检测方面的成本。

    MEMS结构缺陷的晶圆级自动检测方法

    公开(公告)号:CN102854196B

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201210357917.8

    申请日:2012-09-24

    IPC分类号: G01N21/88

    摘要: 本发明涉及一种MEMS结构缺陷的晶圆级自动检测系统及检测方法,其包括控制计算机及用于放置待测晶圆的晶圆平台,所述晶圆平台通过晶圆平台控制器与控制计算机相连;所述晶圆平台上放置有探针台,所述探针台通过探针台控制器与控制计算机相连;所述控制计算机还与用于获取固有频率及图像的测试模块电连接。本发明利用表面形貌图像对比和激光测振频率对比的原理,对MEMS结构的表面缺陷和内部缺陷进行静态和动态的检测,判断所制得的MEMS产品是否可以进入后续的封装流程。该检测系统及检测方案为晶圆级自动检测,且为非接触式无损检测,适用于大规模的生产线,节约人力,检测结果准确、检测效率高,能够节约MEMS产品在检测方面的成本。

    电互连阵列的测试结构
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN202854273U

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201220560105.9

    申请日:2012-10-29

    IPC分类号: G01R31/02

    摘要: 本实用新型提供一种结构简单,能够方便的对每个互连点进行测试的电互连阵列的测试结构。该测试结构包括:带有导电体的两个衬底;衬底之间的垂直电互连阵列;与两个衬底相连的测试电缆和电子系统;带有导电体的两个衬底相向放置,垂直电互连阵列设于一个或两个衬底上,其图形互相匹配或与衬底上的导电体匹配,垂直电互连阵列将两衬底上的导电体连接,两衬底及其带有的导电体均有一部分延伸至另一衬底外侧,延伸至另一衬底外侧的导电体使用测试电缆与电子系统进行连接。该电互连结构可以为导电凸块、焊球或TSV;另外,该结构能够同时评价互连点两侧与衬底连接的质量;通过对测试方法进行优化,可以减少大量测试数据,从而提升测试效率。

    单片集成式微型红外气体传感器

    公开(公告)号:CN203259470U

    公开(公告)日:2013-10-30

    申请号:CN201320269323.1

    申请日:2013-05-16

    IPC分类号: G01N21/35 B81C1/00

    摘要: 本实用新型提供一种单片集成式微型红外气体传感器,包括:具有凹坑的上衬底和具有凹坑的下衬底,上衬底、下衬底以及键合假片结合在一起,中间形成中空的气室;上衬底凹坑的凹陷处设置有红外光源,上衬底凹坑的侧壁具有相对的斜面,在相对的斜面上设置有反射微镜;下衬底凹坑的凹陷处分布有一个或多个光栅结构,以及与光栅结构数量相一致的红外探测器;上衬底上红外光源的位置、下衬底上光栅结构、红外探测器分布的位置与上衬底凹坑斜面上反射微镜的位置及倾斜角度相配合,使得红外光源发出的红外光经过光栅结构分光后,与被测气体特征红外吸收峰对应波段的窄带红外光射向反射微镜,并经反射微镜反射后准确入射至红外探测器。

    MEMS结构缺陷的晶圆级自动检测系统

    公开(公告)号:CN202794059U

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201220491118.5

    申请日:2012-09-24

    IPC分类号: G01N21/95

    摘要: 本实用新型涉及一种MEMS结构缺陷的晶圆级自动检测系统,其包括控制计算机及用于放置待测晶圆的晶圆平台,所述晶圆平台通过晶圆平台控制器与控制计算机相连;所述晶圆平台上放置有探针台,所述探针台通过探针台控制器与控制计算机相连;所述控制计算机还与用于获取固有频率及图像的测试模块电连接。本实用新型利用表面形貌图像对比和激光测振频率对比的原理,对MEMS结构的表面缺陷和内部缺陷进行静态和动态的检测,判断所制得的MEMS产品是否可以进入后续的封装流程。该检测系统及检测方案为晶圆级自动检测,且为非接触式无损检测,适用于大规模的生产线,节约人力,检测结果准确、检测效率高,能够节约MEMS产品在检测方面的成本。