公开(公告)号：CN118380466B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410830939.4

申请日：2024-06-26

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 李亦衡 ,  王强 ,  王洁 ,  李宏旭 ,  魏鸿源 ,  朱廷刚

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明属于高电子迁移率晶体管器件技术领域，具体涉及一种常关型高电子迁移率晶体管及其制备方法。本发明提供的常关型高电子迁移率晶体管中，势垒层注入有非电活性物质离子，非电活性物质离子的注入区域与所述栅极在所述势垒层上的正投影区域重合，所述非电活性物质离子包括氮离子和/或惰性气体离子。本发明的势垒层和沟道层之间具有更稳定的Vth以及原始未蚀刻和未损坏的2DEG层。本发明通过向势垒层中注入非电活性物质离子，将势垒层转变成绝缘体，从而使自然形成的2DEG层失效，而相较于引入电活性元素（如氯或氟原子），本发明不存在由于电荷散射导致的迁移率下降和由于氯或氟离子在栅极偏压下移动导致的Vth不稳定的缺陷。

公开(公告)号：CN118380466A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410830939.4

申请日：2024-06-26

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 李亦衡 ,  王强 ,  王洁 ,  李宏旭 ,  魏鸿源 ,  朱廷刚

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明属于高电子迁移率晶体管器件技术领域，具体涉及一种常关型高电子迁移率晶体管及其制备方法。本发明提供的常关型高电子迁移率晶体管中，势垒层注入有非电活性物质离子，非电活性物质离子的注入区域与所述栅极在所述势垒层上的正投影区域重合，所述非电活性物质离子包括氮离子和/或惰性气体离子。本发明的势垒层和沟道层之间具有更稳定的Vth以及原始未蚀刻和未损坏的2DEG层。本发明通过向势垒层中注入非电活性物质离子，将势垒层转变成绝缘体，从而使自然形成的2DEG层失效，而相较于引入电活性元素（如氯或氟原子），本发明不存在由于电荷散射导致的迁移率下降和由于氯或氟离子在栅极偏压下移动导致的Vth不稳定的缺陷。