专利检索 ap:("江苏雅克科技股份有限公司" OR "江苏先科半导体新材料有限公司") AND inv:"兰晓雨" 第 1 页

1.

发明公开
一种外消旋硅桥联茂金属催化剂的合成方法审中-实审

公开(公告)号：CN117659101A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311678421.5

申请日：2023-12-08

申请人： 江苏雅克科技股份有限公司 , 江苏先科半导体新材料有限公司

发明人： 兰晓雨 , 翁圣斐 , 顾玲

IPC分类号： C07F17/00

摘要： 本发明公开了一种外消旋硅桥联茂金属催化剂的合成方法，包括：在保护气体的保护条件下，将二醚类试剂作为溶剂，将桥联双茂茚配体加入溶解于溶剂中；在初始体系温度下向溶剂中滴加丁基锂的正己烷溶液并搅拌，搅拌结束后将体系温度提升至第一温度进行反应；将体系温度降至第二温度，向溶剂中加入过渡金属卤化盐，再将体系温度提升至第三温度并搅拌溶剂进行配位反应，反应结束后获得混悬液；对混悬液依次进行过滤、洗涤、减压脱除、重结晶处理后得到外消旋硅桥联茂金属催化剂产物。本发明采用一系列简单易得的二醚类试剂作为溶剂，通过控制反应条件，能够选择性合成种外消旋硅桥联茂金属催化剂，且能够大幅提高催化剂的合成收率。