公开(公告)号：CN116761439A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202311063346.1

申请日：2023-08-23

申请人： 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 ,  南京大学

发明人： 宋凤麒 ,  张敏昊 ,  谢素原 ,  季威 ,  谭元植 ,  陈俊 ,  张康康 ,  刘博文 ,  顾陆薇

IPC分类号： H10K10/50 ,  H10K10/00 ,  H10K71/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明属于信息技术领域，特别涉及一种原子级团簇存算器件及其制造方法。所述原子级团簇存算器件自下而上依次设置衬底及氧化层、栅电极和栅介质层；所述栅介质层上设置有至少一根导电电极，每根导电电极上设置有一个纳米级间隙；所述纳米级间隙的两边为源电极和漏电极，纳米级间隙中设置组合分子体系；所述组合分子体系为一个以上功能原子与单个分子的复合体系，其与源电极、漏电极形成良好的接触，所述组合分子体系具备单电偶极子双稳态的特征。

公开(公告)号：CN116761439B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311063346.1

申请日：2023-08-23

申请人： 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 ,  南京大学

发明人： 宋凤麒 ,  张敏昊 ,  谢素原 ,  季威 ,  谭元植 ,  陈俊 ,  张康康 ,  刘博文 ,  顾陆薇

IPC分类号： H10K10/50 ,  H10K10/00 ,  H10K71/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明属于信息技术领域，特别涉及一种原子级团簇存算器件及其制造方法。所述原子级团簇存算器件自下而上依次设置衬底及氧化层、栅电极和栅介质层；所述栅介质层上设置有至少一根导电电极，每根导电电极上设置有一个纳米级间隙；所述纳米级间隙的两边为源电极和漏电极，纳米级间隙中设置组合分子体系；所述组合分子体系为一个以上功能原子与单个分子的复合体系，其与源电极、漏电极形成良好的接触，所述组合分子体系具备单电偶极子双稳态的特征。