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公开(公告)号：CN111554678B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010378596.4
申请日：2020-05-07
摘要： 本发明涉及一种高密度低寄生跨接电容，包括金属插值电容（MOM电容）、金属氧化物半导体（MOS）栅电容和阱之间及阱与衬底之间的寄生电容；金属插值电容由同层金属和多层堆叠金属组成，金属氧化物半导体栅电容包括交替布局的若干NMOS和PMOS的栅电容，阱之间的寄生电容由PMOS的N阱到NMOS的P阱的二极管结电容、深N阱到NMOS的P阱的二极管结电容组成，阱与衬底之间的寄生电容由深N阱到P型衬底的二极管结电容和PMOS的N阱到P型衬底的二极管结电容组成。本发明还提供一种包括前述的高密度低寄生跨接电容的直流降压转换器。本发明的电容具有较小的对地寄生电容和较高的电容密度，能够提高直流降压转换器的传输效率。
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公开(公告)号：CN111446955B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010379074.6
申请日：2020-05-07
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/00 , H03K19/20
摘要： 本发明涉及一种预编码型摆幅可控的低功耗SST驱动器，包括SST驱动电路和编码电路。SST驱动电路包括输出电阻和并联在输出电阻两端的分流电阻，且SST驱动电路中主抽头的切片数可调；编码电路用于对数据类型进行编码并驱动SST驱动电路，编码电路包括输出四路信号的锁存器组、逻辑门组和选择器组，逻辑门组设置于选择器组的前级。本发明可以进一步降低功耗，改善眼图质量，且易于进行摆幅调整，适用于高速串行链路通信中应用。
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公开(公告)号：CN111525966B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202010378332.9
申请日：2020-05-07
IPC分类号： H04B17/11
摘要： 本发明涉及一种应用于发射机的阻抗校准电路，包括工艺检测电路、温度检测电路、ADC、上拉/下拉网络译码器和校准电路，其中工艺检测电路包括MOS管工艺检测电路和电阻工艺检测电路；电阻工艺检测电路与温度检测电路部分复用而构成复用检测电路。工艺检测电路输出仅与MOS管/电阻的工艺相关的电压信号；温度检测电路输出仅与温度相关的电压信号；ADC将工艺检测电路、温度检测电路的输出信号数字化而得到控制字；上拉/下拉网络译码器根据控制字分别输出上拉/下拉控制信号；校准电路包括若干个上拉/下拉校准电路；上拉/下拉校准电路分别包括由上拉/下拉控制信号对应控制的阻抗校准管。本发明无需片外电阻，功耗较低，精度较高，校准管总面积较小。
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公开(公告)号：CN111554678A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010378596.4
申请日：2020-05-07
摘要： 本发明涉及一种高密度低寄生跨接电容，包括金属插值电容（MOM电容）、金属氧化物半导体（MOS）栅电容和阱之间及阱与衬底之间的寄生电容；金属插值电容由同层金属和多层堆叠金属组成，金属氧化物半导体栅电容包括交替布局的若干NMOS和PMOS的栅电容，阱之间的寄生电容由PMOS的N阱到NMOS的P阱的二极管结电容、深N阱到NMOS的P阱的二极管结电容组成，阱与衬底之间的寄生电容由深N阱到P型衬底的二极管结电容和PMOS的N阱到P型衬底的二极管结电容组成。本发明还提供一种包括前述的高密度低寄生跨接电容的直流降压转换器。本发明的电容具有较小的对地寄生电容和较高的电容密度，能够提高直流降压转换器的传输效率。
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公开(公告)号：CN111525936A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010378320.6
申请日：2020-05-07
IPC分类号： H04B1/16
摘要： 本发明涉及一种硬件复用的NRZ/PAM4双模接收机，包括切片器单元和DFE单元。切片器单元包括四路输入端共接的切片器。DFE单元与切片器单元相连接，包括14个锁存器和6个选择器。该硬件复用的NRZ/PAM4双模接收机具有NRZ和PAM4两种工作模式；在NRZ工作模式下，分别采用±h1偏移的切片器以实现半速率循环展开的一抽头DFE结构；在PAM4工作模式下，利用三路设置有不同阈值的切片器，实现MSB和LSB的判决。本发明将两种接收模式融合到一个电路中，通过选择不同的切片器阈值和输出节点实现NRZ和PAM4模式的选择，方案简单，易于实施，可以降低设计复杂程度，减少电路面积开销。
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公开(公告)号：CN111525966A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010378332.9
申请日：2020-05-07
IPC分类号： H04B17/11
摘要： 本发明涉及一种应用于发射机的阻抗校准电路，包括工艺检测电路、温度检测电路、ADC、上拉/下拉网络译码器和校准电路，其中工艺检测电路包括MOS管工艺检测电路和电阻工艺检测电路；电阻工艺检测电路与温度检测电路部分复用而构成复用检测电路。工艺检测电路输出仅与MOS管/电阻的工艺相关的电压信号；温度检测电路输出仅与温度相关的电压信号；ADC将工艺检测电路、温度检测电路的输出信号数字化而得到控制字；上拉/下拉网络译码器根据控制字分别输出上拉/下拉控制信号；校准电路包括若干个上拉/下拉校准电路；上拉/下拉校准电路分别包括由上拉/下拉控制信号对应控制的阻抗校准管。本发明无需片外电阻，功耗较低，精度较高，校准管总面积较小。
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公开(公告)号：CN111541449B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202010379075.0
申请日：2020-05-07
IPC分类号： H03L7/18
摘要： 本发明涉及一种超宽带正交本振信号生成装置，包括锁相环和本振信号生成器；本振信号生成器与锁相环相连接，用于对锁相环的输出信号进行分频并输出所需的正交本振信号；本振信号生成器包括复用于所述锁相环的预分频器、N级与预分频器相连接的信号分频器以及多路选择器，多路选择器的输入端分别与预分频器的输出端、N级信号分频器的输出端相连接，多路选择器的输出端为本振信号生成器的输出端；N为正整数；预分频器的输出信号的频率范围与第一级信号分频器的输出信号的频率范围部分交叠，相邻两级信号分频器的输出信号的频率范围部分交叠。本发明系统结构简单，能够输出无“死区”的超宽带正交本振信号。
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公开(公告)号：CN111525936B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010378320.6
申请日：2020-05-07
IPC分类号： H04B1/16
摘要： 本发明涉及一种硬件复用的NRZ/PAM4双模接收机，包括切片器单元和DFE单元。切片器单元包括四路输入端共接的切片器。DFE单元与切片器单元相连接，包括14个锁存器和6个选择器。该硬件复用的NRZ/PAM4双模接收机具有NRZ和PAM4两种工作模式；在NRZ工作模式下，分别采用±h1偏移的切片器以实现半速率循环展开的一抽头DFE结构；在PAM4工作模式下，利用三路设置有不同阈值的切片器，实现MSB和LSB的判决。本发明将两种接收模式融合到一个电路中，通过选择不同的切片器阈值和输出节点实现NRZ和PAM4模式的选择，方案简单，易于实施，可以降低设计复杂程度，减少电路面积开销。
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公开(公告)号：CN111541449A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010379075.0
申请日：2020-05-07
IPC分类号： H03L7/18
摘要： 本发明涉及一种超宽带正交本振信号生成装置，包括锁相环和本振信号生成器；本振信号生成器与锁相环相连接，用于对锁相环的输出信号进行分频并输出所需的正交本振信号；本振信号生成器包括复用于所述锁相环的预分频器、N级与预分频器相连接的信号分频器以及多路选择器，多路选择器的输入端分别与预分频器的输出端、N级信号分频器的输出端相连接，多路选择器的输出端为本振信号生成器的输出端；N为正整数；预分频器的输出信号的频率范围与第一级信号分频器的输出信号的频率范围部分交叠，相邻两级信号分频器的输出信号的频率范围部分交叠。本发明系统结构简单，能够输出无“死区”的超宽带正交本振信号。
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公开(公告)号：CN111446955A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010379074.6
申请日：2020-05-07
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/00 , H03K19/20
摘要： 本发明涉及一种预编码型摆幅可控的低功耗SST驱动器，包括SST驱动电路和编码电路。SST驱动电路包括输出电阻和并联在输出电阻两端的分流电阻，且SST驱动电路中主抽头的切片数可调；编码电路用于对数据类型进行编码并驱动SST驱动电路，编码电路包括输出四路信号的锁存器组、逻辑门组和选择器组，逻辑门组设置于选择器组的前级。本发明可以进一步降低功耗，改善眼图质量，且易于进行摆幅调整，适用于高速串行链路通信中应用。
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