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公开(公告)号：CN110113004B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201910473058.0
申请日：2019-05-31
申请人： 江西华讯方舟智能技术有限公司
摘要： 本申请实施例属于射频技术领域，提供了一种基于环形耦合器的注入锁定振荡电路及注入锁定振荡器中，通过环形耦合器模块将单端的参考频率信号转换为对应的正端差分信号和负端差分信号，并通过信号注入模块将参考频率信号注入至所述缓冲模块，以使所述缓冲模块输出对应的振荡反馈信号，该振荡反馈信号用于将谐振回路模块生成初始振荡信号的频率锁定为所述参考频率信号源设定的频率范围，然后利用输出匹配模块接收缓冲模块输出的缓冲隔离振荡信号，并对所述缓冲隔离振荡信号的二次谐波输出进行能量增强处理，以输出对应的振荡输出信号，从而减小信号注入模块注入的两个差分信号的相位误差，降低插入损耗，增加注入锁定振荡电路的频率锁定范围。
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公开(公告)号：CN109273526B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201811242989.1
申请日：2018-10-24
申请人： 江西华讯方舟智能技术有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L23/373 , H01L21/335
摘要： 本发明属于电子技术领域，公开了一种高性能晶体管及其制造方法，包括多晶衬底层、键合层、第一非掺杂GaN层、AlGaN层、源电极、漏电极以及栅电极；其中，键合层设置在多晶衬底层第一表面；第一非掺杂GaN层设置在键合层第一表面；AlGaN层设置在非掺杂GaN层第一表面；源电极和漏电极间隔设置在AlGaN层第一表面；栅极设置在AlGaN层第一表面的源电极和漏电极之间区域；由于通过键合和衬底移除技术将AlGaN/GaN器件转移到高导热多晶衬底材料上，有效提高了器件在高频应用时散热性能，从而提高器件及其应用的系统的可靠性；增加了产品的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN109244131B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201811243002.8
申请日：2018-10-24
申请人： 江西华讯方舟智能技术有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/24 , H01L21/34
摘要： 本发明属于电子技术领域，公开了一种高速晶体管及其制造方法，高速晶体管包括衬底层；设置在衬底层上表面的沟道层；设置在沟道层上表面的第一非掺杂(AlxGa1‑x)2O3层；设置在第一非掺杂(AlxGa1‑x)2O3层上表面的高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层；设置在高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层上表面的电压调制层；间隔设置在电压调制层上表面的源电极和漏电极；及设置在电压调制层上表面，且位于源电极和漏电极之间区域的栅电极；由于通过超宽禁带半导体材料体系制备新型高速大功率晶体管，并通过高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层调制形成异质结二维电子气，有效提高了器件的频率和功率性能，同时提高了器件材料自身击穿电压，从而降低对器件封装的要求，增加了产品的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN110460309B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201910470250.4
申请日：2019-05-31
申请人： 江西华讯方舟智能技术有限公司
IPC分类号： H03B19/14
摘要： 本申请实施例属于射频技术领域，提供了一种注入锁定倍频电路及注入锁定倍频器中，通过谐波发生器模块生成非线性效应，对所述基波信号中的预设频段的谐波信号进行放大提取处理，并通过变压器模块将所述多次谐波信号中的谐波能量注入至所述振荡器模块中，振荡器模块对所述多次谐波信号进行选频处理，从而将所述振荡信号的频率锁定在预设频率范围内，达到利用频率较低的基波信号输出频率较高的振荡信号的技术效果，解决了现有的注入锁定倍频器结构的锁定范围较小，极大的限制了倍频器的应用范围的问题。
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公开(公告)号：CN106685415B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201710067159.9
申请日：2017-02-07
申请人： 江西华讯方舟智能技术有限公司
IPC分类号： H03L7/089
摘要： 本发明涉及一种电荷泵电路和锁相环。该电路包括依次电连接的启动模块、偏置模块、电流镜模块、充放电反馈控制模块和充放电匹配模块。启动模块用于启动偏置模块。偏置模块用于产生恒定的偏置电流并输出至电流镜模块。电流镜模块用于接收偏置电流，并对偏置电流进行放大分两路输出。充放电反馈控制模块，用于检测电荷泵的输出电压并根据输出电压反馈控制充放电匹配模块中的充电电流或放电电流，抑制充电电流与放电电流的失配。充放电匹配模块用于接收外部充电控制信号或放电控制信号，对电荷泵的输出负载充电或放电。上述电荷泵电路无需运算放大器，就能在较宽输出电压范围内保持充电电流和放电电流的匹配，电路结构简单且能工作在较高的频率。
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